[发明专利]氢检测传感器

权利要求书

1.一种氢检测传感器，其包括：

基底，

在所述基底上形成并在暴露于氢时变色的硫化物层，以及

沉积在所述硫化物层上的金属催化层，

其中所述硫化物层包括CuS，

其中所述金属催化层包括一种或多种选自钯Pd、铂Pt、钌Ru、镁Mg、镍Ni和金Au的金属颗粒，

其中所述硫化物层的厚度范围为40nm至50nm，

其中所述金属催化层的厚度范围为4nm至5nm。

2.根据权利要求1所述的氢检测传感器，其中所述硫化物层因与氢的化学反应而发生化学变色。

3.根据权利要求1所述的氢检测传感器，其中所述基底选自玻璃、柔性塑料、硅、石英、熔凝硅石、不锈钢、云母、碳、碳纳米管、聚合物、陶瓷和搪瓷。

4.根据权利要求1所述的氢检测传感器，其中使用化学浴沉积CBD法或干沉积法将所述硫化物层沉积在所述基底上。

5.根据权利要求1所述的氢检测传感器，其中所述硫化物层通过使硫酸铜与硫代硫酸钠以约1:5的摩尔比反应并通过浴沉积而形成为薄膜。

6.根据权利要求1所述的氢检测传感器，其中所述硫化物层沉积在所述基底的整个区域上，使得不露出所述基底。

7.根据权利要求1所述的氢检测传感器，其中使用水热法或电子束蒸发EBD形成所述金属催化层。

8.根据权利要求1所述的氢检测传感器，其中在所述硫化物层的一部分上形成所述金属催化层，使得所述硫化物层的至少另一部分露出。

9.一种车辆部件，其包括根据权利要求1所述的氢检测传感器。

10.根据权利要求9所述的车辆部件，其为燃料电池车中的贮氢罐、高压调节器、具有接头的管、氢气阀或燃料电池堆外壳。