[发明专利]一种Flash芯片有效
| 申请号: | 201510419718.9 | 申请日: | 2015-07-16 |
| 公开(公告)号: | CN105185408B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
| 发明(设计)人: | 苏志强;丁冲;陈立刚;谢瑞杰 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 苏培华 |
| 地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 flash 芯片 | ||
本发明公开了一种Flash芯片,该Flash芯片包括多个复用接口和多个专用接口;其中,所述复用接口能够兼容SPI类型的NAND Flash和ONFI类型的NAND Flash中功能相对应的接口;所述专用接口对应于ONFI类型的NAND Flash中除所述功能相对应的接口之外的其他接口;通过采用不同的封装方式,所述Flash芯片被封装为SPI类型的NAND Flash,或者ONFI类型的NAND Flash。本发明可以在同一个芯片内实现SPI类型的NAND Flash或者ONFI类型的NAND Flash,从而降低生产成本,并且通过端口复用的方式能够控制芯片的面积,节约芯片成本。
技术领域
本发明涉及芯片技术领域,特别是涉及一种Flash芯片。
背景技术
非易失性存储器是指断电后仍能保持数据,即断电之后所存储的数据不会丢失的一种存储器。Flash(闪存)和EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory,电可擦可编程只读存储器)均属于非易失性存储器。Flash是EEPROM的变种,Flash与EEPROM的区别在于,EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,而Flash需要块擦除。NAND Flash是Flash的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash具有容量较大、改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用。
传统的NAND Flash可分为SPI(Serial Peripheral Interface,串行外设接口)和ONFI(Open NAND Flash Interface,开放式NAND闪存接口)两种类型,这两种类型的NANDFlash单独生产、单独封装,因此灵活度不高,生产成本较高。
发明内容
本发明提供了一种Flash芯片,能够实现SPI类型的NAND Flash和ONFI类型的NANDFlash兼容,降低芯片成本。
为了解决上述问题,本发明公开了一种Flash芯片,包括多个复用接口和多个专用接口;
其中,所述复用接口能够兼容SPI类型的NAND Flash和ONFI类型的NAND Flash中功能相对应的接口;
所述专用接口对应于ONFI类型的NAND Flash中除所述功能相对应的接口之外的其他接口;
通过采用不同的封装方式,所述Flash芯片被封装为SPI类型的NAND Flash,或者ONFI类型的NAND Flash。
优选地,若所述专用接口中包括4个专用输入输出接口,则通过采用不同的封装方式,所述Flash芯片被封装为SPI类型的NAND Flash,或者8输入输出的ONFI类型的NANDFlash。
优选地,若所述专用接口中包括12个专用输入输出接口,则通过采用不同的封装方式,所述Flash芯片被封装为SPI类型的NAND Flash,或者8输入输出的ONFI类型的NANDFlash,或者16输入输出的ONFI类型的NAND Flash。
优选地,若所述Flash芯片被封装为SPI类型的NAND Flash,则所述复用接口被封装为外部引脚,所述专用接口被悬浮,且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为SPI类型。
优选地,若所述Flash芯片被封装为8输入输出的ONFI类型的NAND Flash,则所述复用接口及所述专用接口均被封装为外部引脚,且所述Flash芯片中预设的控制位被设置为ONFI类型。
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