[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，所述方法包括：

形成n型半导体层；

在所述n型半导体层上形成发光层；以及

在所述发光层上形成p型半导体层；

其中所述形成p型半导体层包括：

通过供给包含NH3气、Mg掺杂剂气体和至少第III族元素的原料气体，在所述发光层上形成p型覆层；

在第一阶段中通过以第一Ga流量供给Ga原料气体和供给所述NH3气，以及通过以第一Mg流量供给所述Mg掺杂剂气体，在所述p型覆层上形成由p型GaN组成的p型中间层；

在第二阶段的开始点处停止供给所述Ga原料气体使得在形成所述p型中间层完成之后在所述第二阶段中所述p型GaN不生长；

在所述第二阶段的开始点处以阶跃函数的方式将所述Mg掺杂剂气体的流量从所述第一Mg流量增加至第二Mg流量；

在所述第二阶段之后的第三阶段中通过以低于所述第一Ga流量的第二Ga流量供给所述Ga原料气体以及供给所述NH3气，以及将所述Mg掺杂剂气体的流量保持在所述第二Mg流量，在所述p型中间层上形成由p型GaN组成的p型接触层，其中所述p型接触层的厚度为0.5nm至10nm，以及

在所述p型接触层上形成p电极。

2.根据权利要求1所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中所述p型接触层的厚度为0.5nm至5nm。

3.根据权利要求1所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在所述第二阶段期间停止供给所述NH3气。

4.根据权利要求1所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中形成所述p型中间层包括：在所述p型覆层上形成第一p型中间层；以及在所述第一p型中间层上形成第二p型中间层。

5.根据权利要求1所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在所述第二阶段中供给所述Mg掺杂剂气体在1秒至60秒的范围内被执行。

6.根据权利要求1所述的用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在形成所述p型中间层时供给至少氮气作为载气，并且在所述载气中氮原子的摩尔比在30％至80％的范围内。