[发明专利]一种铟纳米颗粒阵列修饰的石墨烯/硒化锌纳米带肖特基结蓝光光电开关及其制备方法

权利要求书

1.一种铟纳米颗粒阵列修饰的石墨烯/硒化锌纳米带肖特基结蓝光光电开关，其特征在于：在绝缘衬底（1）上表面分布有硒化锌纳米带（2），所述硒化锌纳米带（2）的一端设置有与所述硒化锌纳米带（2）呈欧姆接触的金电极（3），所述硒化锌纳米带（2）的另一端设置有与所述硒化锌纳米带（2）呈肖特基接触的石墨烯薄膜（4），在所述石墨烯薄膜（4）的上表面修饰有呈六角点阵排布的铟纳米颗粒阵列（5），在所述石墨烯薄膜（3）的一侧引出有与石墨烯薄膜呈欧姆接触的引出电极（6）。

2.根据权利要求1所述的铟纳米颗粒阵列修饰的石墨烯/硒化锌纳米带肖特基结蓝光光电开关，其特征在于：所述硒化锌纳米带为本征硒化锌纳米带；所述石墨烯薄膜为本征石墨烯薄膜。

3.根据权利要求1所述的铟纳米颗粒阵列修饰的石墨烯/硒化锌纳米带肖特基结蓝光光电开关，其特征在于：所述绝缘衬底是以单晶硅为基底、且二氧化硅层厚度不小于300nm的二氧化硅片。

4.根据权利要求1所述的铟纳米颗粒阵列修饰的石墨烯/硒化锌纳米带肖特基结蓝光光电开关，其特征在于：所述金电极厚度为15-30nm。

5.根据权利要求1所述的铟纳米颗粒阵列修饰的石墨烯/硒化锌纳米带肖特基结蓝光光电开关，其特征在于：所述铟纳米颗粒阵列采用聚苯乙烯微球模板法制作而成，所用聚苯乙烯微球的直径为300-900nm。

6.根据权利要求1所述的铟纳米颗粒阵列修饰的石墨烯/硒化锌纳米带肖特基结蓝光光电开关，其特征在于：构成所述铟纳米颗粒阵列的各铟纳米颗粒直径为50-90nm。

7.一种权利要求1-6中任意一项所述的铟纳米颗粒阵列修饰的石墨烯/硒化锌纳米带肖特基结蓝光光电开关的制备方法，其特征是按如下步骤进行：

（1）将二氧化硅片依次用丙酮、酒精超声10分钟，再用去离子水超声5分钟，然后用氮气枪吹干，获得绝缘衬底；

（2）通过刮蹭方式将硒化锌纳米带转移到绝缘衬底上；

（3）通过紫外光刻与电子束镀膜在硒化锌纳米带的一侧蒸镀金电极；

（4）通过气-液界面自组装法，在表面生长有石墨烯的铜箔上铺设具有六角密堆积结构的聚苯乙烯微球薄膜，作为生长铟纳米颗粒阵列的模板；

（5）利用热蒸发工艺在铺设有聚苯乙烯微球薄膜的铜箔上表面蒸镀厚度为50nm的铟膜，然后置于温度为70℃的酒精中浸泡10分钟，再置于甲苯溶液中均匀搅拌，使得石墨烯的上表面修饰呈六角点阵排布的铟纳米颗粒阵列；

通过刻蚀液将铜箔刻蚀掉，获得上表面修饰有呈六角点阵排布的铟纳米颗粒阵列的石墨烯薄膜；

（6）利用湿法转移将所述石墨烯薄膜转移到绝缘衬底上，使其位于硒化锌纳米带的另一侧；

（7）在石墨烯薄膜上表面点上银浆作为引出电极，即得铟纳米颗粒阵列修饰的石墨烯/硒化锌纳米带异质结蓝光光电开关。