[发明专利]一种采用断面切割腐蚀技术检测硅晶片体内微缺陷的方法

权利要求书

1.一种采用断面切割腐蚀技术检测硅晶片体内微缺陷的方法，其特征是：所述的硅晶片体内微缺陷和断面检测方法的步骤如下：

步骤1：

将洁净的硅晶片以一定间距摆放在石英舟上，操作氧化炉或扩散炉以10±2度/分的速度升温至800度，恒定；这时将石英舟以大约200mm/min的速度送入氧化炉或扩散炉中开始进行高温热氧化，高温热氧化工艺温度为1150度，升温速率为5度/分，氧化时间为100分钟；

步骤2：

在高温氧化过程中通入流量为3±0.5L/min的高纯氧气和18兆纯水水蒸汽，氧化时间结束后，控制氧化炉或扩散炉以3度/分的速率缓慢降温至800度；

步骤3：

以200mm/min的速度将经高温氧化后的硅晶片缓缓从氧化炉或扩散炉中拉出，并在洁净层流环境下让硅晶片自然冷却至室温；

步骤4：

按照步骤1至步骤3的过程方法，对硅晶片重复进行三次高温热氧化处理；

步骤5：

把经高温热氧化处理后的硅晶片平放在洁净的四氟平板上，确定需观察硅晶片表面位置，采用金钢石笔沿直径方向将硅晶片切割成宽度尺寸为1.5~2.0cm的硅晶片长条（1）；

步骤6：

把硅晶片长条（1）放置于四氟花栏中，用纯水冲洗硅晶片长条（1）上的残留硅粉，然后用铬酸腐蚀溶液对硅晶片长条（1）的切割断面（3）腐蚀3分钟，用纯水冲洗干净并用高纯氮气枪吹干；

步骤7：进行断面检测，用双面胶将硅晶片长条（1）的背面粘接在四氟垫块（2）上，硅晶片长条（1）的断面（3）要高出四氟垫块（2），用光学显微镜在200倍下观察硅晶片长条（1）上断面（3）形貌，并采用连续扫描法计数微观状态下断面（3）的缺陷密度。