[发明专利]整体式PSS刻蚀托盘治具在审
申请号: | 201510417149.4 | 申请日: | 2015-07-16 |
公开(公告)号: | CN104979251A | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 魏臻;孙智江;贾辰宇 | 申请(专利权)人: | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 226500 江苏省南通市如*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 整体 pss 刻蚀 托盘 | ||
技术领域
本发明属于半导体技术领域。
背景技术
PSS刻蚀的对象是蓝宝石衬底,属于微米级加工工艺,工艺要求之一是片内均匀性高(<3%),特别是要求边缘区域的图形要对称且不能有粘连。随着行业标准的不断提升, 边缘区域的质量越来越受重视,随之而来的是对边缘问题的处理能力构成了各PSS厂家,乃至于ICP设备厂商的核心竞争力,而在该工艺中托盘治具是影响边缘问题的关键因素。
目前, 市场上用于PSS刻蚀的托盘治具有大约以下2种结构。
结构一:金属托盘配合石英盖板。这种治具的优点是制造工艺简单,制造成本低廉。缺点是,由于刻蚀的晶圆需要靠石英的边缘进行压片,而石英材质不具备延展性,较脆弱。所以,经常会发生石英盘压边处崩损的事故。特别地,为了刻蚀副产物挥发的方便,石英盖板的上表面距晶圆被刻蚀的上表面的高度要低。换句话讲,为了保证刻蚀的均匀性,石英盖板必须做薄,这就进一步降低了石英盖板的强度,使得盖板更易损坏。此外,由于与晶圆直接接触的材料为石英,而石英是绝缘体,这将导致等离子场在靠近晶圆边缘的地方由于绝缘体的影响,而发生电场的偏转,从而使得边缘区域的刻蚀速率与整体有较大差距,并且由于电场的偏转,刻蚀出来的图形的形貌也不会对称。而不对称的PSS结构在外延生长过程中会产生不期望的异常结构。
结构二:金属托盘配合金属盖板。这种治具的优点是制造工艺简单,制造成本较低廉,边缘效应不明显。缺点是,金属盖板在刻蚀过程中直接接触高能等离子体,盖板的材质本身也会参与到物理化学反应中去。生成物的成分更加复杂,对设备的保养周期造成影响。同样地,为了保证副产物可以顺利被抽走,金属盖板必须要薄,但金属自身的延展性会使得金属盖板在使用过程中发生形变,从而导致冷却问题的发生。
由于治具的结构与材料的成分比例都会对ICP刻蚀设备的反射功率构成影响,或者说,一定的治具结构和材料成分是与设备的其他硬件结构相对应、相匹配的。这就意味着一旦治具结构和成分确定后,设备的其他硬件机构也就基本定型了。如果要进行治具类型的更换, 就必然会涉及到设备硬件结构的变更,改造的成本与工作量都会显著上升。
发明内容
本发明的目的在于解决一种ICP刻蚀中使用的治具设计方案,既可以减弱ICP刻蚀中普遍存在的边缘效应(保证边缘图形对称且不粘连),又可以延长治具的使用寿命, 同时还能够简化治具的使用与操作。
为了达到上述目的,本发明提供的一种整体式PSS刻蚀托盘治具,包括整体式托盘与由金属材料制成的压环,所述的整体式托盘上排列设置有多个片槽,每个所述的片槽内设置用于放置晶圆片的搭阶,所述的片槽内位于搭阶的下方设置有冷却腔,所述的冷却腔设置多个冷却孔,所述的冷却孔通有冷却气体,每个所述的片槽内的晶圆片上方设置压环,所述的压环呈环形并覆盖于晶圆片的周向边缘。
作为进一步的改进,所述的整体式托盘由石英、金属或者陶瓷材料制成。
作为进一步的改进,所述的压环具有小爪或内环,所述的小爪或内环压紧在晶圆片的边缘并支撑于搭阶上。
作为进一步的改进,所述的晶圆片具有定位边,所述的片槽、压环配合设置有定位边。
作为进一步的改进,所述的压环的厚度与片槽的深度相适应。
作为进一步的改进,所述的冷却气体包括氦气。
作为进一步的改进,所述的片槽底部设置多个冷却孔。
作为进一步的改进,还包括密封圈,所述的片槽的内径设置有用于放置密封圈的定位槽。
由于采用了以上技术方案,本发明将石英件的优点与金属件的优点结合了起来,对边缘效应有较好的改善效果,不需要使用如定位盘等额外工具, 且不需要使用真空脂等密封材料, 操作简便, 可以提高工效, 节省人工成本。
附图说明
图1描述了根据本发明的整体式PSS刻蚀托盘治具的整体式托盘的主视图;
图2描述了根据本发明的整体式PSS刻蚀托盘治具的整体式托盘的局部剖视图;
图3描述了根据本发明的整体式PSS刻蚀托盘治具的压环的主视图;
图4描述了根据本发明的整体式PSS刻蚀托盘治具的压环的局部剖视图;
图5描述了另一个实施例中整体式PSS刻蚀托盘治具的压环的主视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
实施例一
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造