[发明专利]背照式图像传感器的晶圆级封装方法及其封装结构在审
申请号: | 201510413998.2 | 申请日: | 2015-07-14 |
公开(公告)号: | CN105118841A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 靖向萌;冯光建 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅;涂三民 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 晶圆级 封装 方法 及其 结构 | ||
1.一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法,其特征是该方法包括以下步骤:
a、在CIS晶圆(1)的正面打出焊柱孔,用电镀的方式在焊柱孔内沉积出焊柱(2),焊柱(2)与CIS晶圆(1)内的引线(11)导通,再在焊柱(2)的柱顶沉积出导电层(3);
b、在CIS晶圆(1)的正面通过临时键合胶(4)键合负载晶圆(5),以负载晶圆(5)为支撑,减薄CIS晶圆(1)的背面,再在CIS晶圆(1)的背面对应图像传感器(10)位置添加滤光镜(6)和微透镜(7);
c、在CIS晶圆(1)的背面涂上透光胶(8),在透光胶(8)的背面键合透光封盖(9);
d、以透光封盖(9)为支撑,去除负载晶圆(5)和临时键合胶(4),清洗CIS晶圆(1)上残留的临时键合胶(4),清洗后,以透光封盖(9)为支撑进行切割。
2.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法,其特征是:所述导电层(3)的材质为金、铜、镍、锡或其合金,导电层(3)的厚度为0.1~10μm。
3.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法,其特征是:所述临时键合胶(4)为热固环氧树脂或者UV环氧树脂,临时键合胶(4)的厚度为10nm~200μm,且临时键合胶(4)的上胶方式为喷涂方式、挂胶方式、滚胶方式或者直接贴膜方式。
4.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法,其特征是:步骤b中,在CIS晶圆(1)的正面通过临时键合胶(4)键合负载晶圆(5)的键合方式是热压键合或者激光辐射方式键合。
5.如权利要求5所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法,其特征是:所述激光为紫外波段激光、红外波段激光或者可见光波段激光。
6.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法,其特征是:所述负载晶圆(5)的材质是硅晶圆、有机玻璃、无机玻璃、树脂、半导体材料、氧化物晶体、陶瓷、金属、有机塑料、无机氧化物或者陶瓷材料,负载晶圆(5)的厚度为200~600μm。
7.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法,其特征是:所述透光胶(8)为环氧树脂、有机硅胶、酸性玻璃胶或者酚醛树脂,透光胶(8)的厚度为50~100μm,且透光胶(8)的上胶方式为喷涂方式、挂胶方式、滚胶方式或者直接贴膜方式。
8.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法,其特征是:所述透光封盖(9)的材质为有机玻璃、无机玻璃、陶瓷、塑料或者有机薄膜,透光封盖(9)的厚度为100~500μm。
9.如权利要求1所述的一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法,其特征是:步骤c中,在透光胶(8)的背面键合透光封盖(9)的键合方式是热压键合或者辐射方式键合。
10.一种背照式图像传感器的晶圆级封装结构,其特征是:它包括CIS晶圆(1)、焊柱(2)、导电层(3)、临时键合胶(4)、负载晶圆(5)、滤光镜(6)、微透镜(7)、透光胶(8)、透光封盖(9)、图像传感器(10)与引线(11);在CIS晶圆(1)的正面通过临时键合胶(4)连接有负载晶圆(5),在CIS晶圆(1)的背面连接有透光胶(8),在透光胶(8)的背面连接有透光封盖(9),在CIS晶圆(1)内设有焊柱(2)、导电层(3)、滤光镜(6)、图像传感器(10)与引线(11),在图像传感器(10)的背面设有滤光镜(6),在滤光镜(6)的背面设有微透镜(7),微透镜(7)嵌入透光胶(8)内,图像传感器(10)的正面与引线(11)的下端部相连,引线(11)的上端部与焊柱(2)的下端部相连,焊柱(2)的上端面与导电层(3)的背面相连,导电层(3)的正面与CIS晶圆(1)的正面平齐。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的