[发明专利]一种绝缘管封装芯片的方法及结构

权利要求书

1.一种绝缘管封装芯片的方法，其特征在于，与所述芯片的相对的两端面一一对应电性连接的两个电极用以与所述绝缘管的相对的两端面一一对应封接，密封所述芯片，所述两个电极为第一电极和第二电极，所述第一电极包括第一基座，所述第二电极包括第二基座，所述第二电极还包括所述第二基座的第一端面上凸起的凸台；所述方法包括：

S110、通过第一电性连接层固定所述芯片电性连接至所述第一电极的连接端面，所述第一电极的所述连接端面用于与所述芯片的相对两端面中的一端面对应电性连接；

S120、固定第二电性连接层连接至所述芯片的相对两端面中的另一端面；

以及步骤S120或步骤S110之前/之后，所述方法还包括：

A、通过放置于所述第一基座与所述绝缘管之间的第一缓冲层，把所述第一基座与所述绝缘管的相对两端面的一端面对应封接；

所述方法还包括：

S130、通过所述第二电性连接层把所述第二电极的所述凸台与所述芯片的相对两端面中的另一端面对应电性连接，以及根据内外公差尺寸链关系公式调整用于密封所述芯片的，且放置于所述第二基座与所述绝缘管之间的第二缓冲层的厚度S和用量V，把所述第二基座与所述绝缘管的相对的两端面的另一端面对应封接；

其中，所述内外公差尺寸链关系公式如下：

S≥max{(H1+|H2|+D1+|D2|)，(T1+|T2|+d1+|d2|)}；S≤0.4mm；H+D＝T+S+D；HH2H1+DD2D1=TT2T1+S+dd2d1;]]>V＝S*P；

其中所述P为所述第二缓冲层的面积，所述P小于或等于所述绝缘管的横截面积，所述第二基座的径高为T，所述第二电极的所述凸台的径高与所述第二基座的径高之和为H，所述第一基座的与所述连接端面相背的外端面至所述绝缘管及其之间的径高为d，所述第一基座的所述外端面至所述第二电性连接层及其之间的径高为D，所述H1和所述H2分别为所述H的上偏差和下偏差，所述D1和所述D2分别为所述D的上偏差和下偏差，所述T1和所述T2分别为所述T的上偏差和下偏差，所述d1和所述d2分别为所述d的上偏差和下偏差。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极为凸台型电极，所述第一电极还包括所述第一基座的内表面上凸起的第一凸台，所述第一电极的所述连接端面为通过所述第一电性连接层与所述芯片对应电性连接的所述第一凸台的端面，所述第一电极的外端面为所述第一基座的与所述第一凸台的端面相对的外表面。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极为平面型电极，所述第一电极的所述连接端面为所述第一基座通过所述第一电性连接层与所述芯片对应电性连接的内表面，所述第一电极的所述外端面为所述第一基座的所述内表面相对的外表面。