[发明专利]一种含TSV的Fan-out的封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种含TSV的Fan-out的封装结构，其特征是：在介电层（10）的上表面设有基板（1），在基板（1）的上表面设有键合胶（3），在键合胶（3）的上表面设有介质层（4），在介质层（4）的上表面设有塑封体（9）；在键合胶（3）、基板（1）与介电层（10）内设有导电柱（2），在导电柱（2）的下端部连接有焊球（11），在介质层（4）内设有布线（5），在布线（5）的上端部设有凸点（6），所述导电柱（2）的上端部与布线（5）的下端部相连，在塑封体（9）设有倒装的芯片（7），芯片（7）与凸点（6）相连。

2.一种含TSV的Fan-out的封装结构的封装方法，其特征是该方法包括以下步骤：

a、取基板（1），在基板（1）内做出导电柱（2），在基板（1）的上表面做上一层键合胶（3），在键合胶（3）的上表面做出一层介质层（4）；

b、在介质层（4）内做出布线（5），在布线（5）的上端部做出凸点（6）；

c、在凸点（6）上倒装焊上芯片（7），得到封装半成品；

d、在封装半成品的上表面开出切割槽（8），切割槽（8）的槽底位于基板（1）内；

e、在封装半成品的上表面使用塑封胶进行塑封成型，得到塑封体（9），由塑封体（9）完成对芯片（7）的保护；

f、对基板（1）的下表面进行减薄，减薄至导电柱（2）的下端部和塑封体（9）的下端部露出；

g、在基板（1）的下表面做上一层介电层（10）并做出焊球（11），得到封装整体；

h、将封装整体沿着切割槽（8）位置进行切割，得到单一的含TSV的Fan-out的封装结构芯片，封装方法结束。

3.根据权利要求2所述的一种含TSV的Fan-out的封装结构的封装方法，其特征是：所述基板（1）是裸硅晶圆、有机玻璃、无机玻璃薄片、树脂薄片、半导体材料薄片、氧化物晶体薄片、陶瓷薄片、金属薄片、有机塑料薄片、无机氧化物薄片或者陶瓷材料薄片，基板（1）的厚度为50um~500um。

4.根据权利要求2所述的一种含TSV的Fan-out的封装结构的封装方法，其特征是：所述键合胶（3）为热敏环氧树脂或者UV环氧树脂，且上胶方式为涂布、喷涂、贴膜或者注塑，键合胶（3）的厚度为10nm~100um。

5.根据权利要求2所述的一种含TSV的Fan-out的封装结构的封装方法，其特征是：所述介质层（4）为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、有机硅胶、酸性玻璃胶或者酚醛树脂，所述介质层（4）的厚度为50nm~10um。

6.根据权利要求2所述的一种含TSV的Fan-out的封装结构的封装方法，其特征是：所述塑封体（9）的材质为邻甲酚甲醛型或脂环族改性环氧树脂为基础树脂的塑封料，塑封体（9）的厚度为10um~1000um。

7.根据权利要求2所述的一种含TSV的Fan-out的封装结构的封装方法，其特征是：所述介电层（10）的材质为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、有机硅胶、酸性玻璃胶或者酚醛树脂，且介电层（10）的厚度为1nm~10um。