[发明专利]用于电磁射线的成像装置在审
| 申请号: | 201510412063.2 | 申请日: | 2015-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN105280659A | 公开(公告)日: | 2016-01-27 |
| 发明(设计)人: | L·丹泽;M·拉巴延德因扎;J·弗里吉 | 申请(专利权)人: | 西门子股份公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱;管志华 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 电磁 射线 成像 装置 | ||
1.一种用于电磁射线的成像装置(1),尤其是用于伦琴和/或伽马射线,其包括一个由:
-一定数量的检测元件(4),
-一定数量的读取电路板(6),以及
-基础电路板(8),
所组成的叠片结构,其中,所述检测元件(4)或者每个检测元件(4)通过多个第一焊接接触(16)而分别与读取电路板(6)电接触,其中,所述读取电路板(6)或者每个读取电路板(6)具有多个通孔接触(20),并且其中,所述读取电路板(6)或者每个读取电路板(6)通过多个第二焊接接触(24)而与所述基础电路板(8)电接触。
2.根据权利要求1所述的成像装置(1),其中,多个通孔接触(20)分别具有穿过所述读取电路板(6)的孔,所述孔的内壁以导电材料加以内衬。
3.根据权利要求1或者权利要求2所述的成像装置(1),其中,所述检测元件(4)或者每个检测元件(4)分别具有转换层(10),在所述转换层之上单侧地布置有多个接触引脚(12),其中,每个接触引脚(12)通过第一焊接接触(16)而与相应的读取电路板(6)接触。
4.根据权利要求3所述的成像装置(1),其中,所述转换层(10)或者每个转换层(10)基本上由至少一种半导体材料所制成,其中,所述半导体材料或者每种半导体材料从由以下化合物所组成的组之中选择:
碲化镉、碲化锌、硒化镉、硒化锌、碲化锰、磷化铟、汞(Ⅱ)碘化物和铊(I、III)溴化物。
5.根据前述权利要求中任一项所述的成像装置(1),其中,作为用于所述第一焊接接触(16)的焊料应用由以下:
锡-铋、锡-铋-银、锡-铋-铅、锡-铟、铟-银和铟,
所组成的组中的至少一种材料。
6.根据前述权利要求中任一项所述的成像装置(1),其中,作为用于所述第二焊接接触(24)的焊料应用由以下:
锡-铋、锡-铋-银、锡-铋-铅、锡-铟、铟-银和铟,
所组成的组中的至少一种材料。
7.根据前述权利要求中任一项所述的成像装置(1),其中,所述检测元件(4)或者每个检测元件(4)通过具有多边形形状的板来形成,并且其中相对应的与所述检测元件(4)接触的读取电路板(6)基本上全等。
8.根据权利要求7所述的成像装置(1),其中,所述基础电路板(8)的至少一个部分区域(26)由多个检测元件(4)或者相对应的读取电路板(6)基本上完全地加以覆盖。
9.根据权利要求8所述的成像装置(1),其中,基本上完全地覆盖所述基础电路板(8)的至少一个部分区域(26)的所述多个检测元件(4)分别具有矩形形状。
10.一种伦琴检测器(2),尤其是光子计数伦琴检测器(2),其包括至少一个根据前述权利要求中任一项所述的成像装置(1)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





