[发明专利]基于圆迹合成孔径雷达二维图像的输电线高程提取方法

权利要求书

1.一种基于圆迹合成孔径雷达二维图像的输电线高程提取方法，其特征在于，该方法的步骤包括：

步骤S1:构建各处等高的理想输电线高度与单通道圆迹合成孔径雷达的方位角、下视角，以及成像平面高度之间关系的理想输电线高度z模型；

步骤S2:选取一个高于或低于实际输电线高度的成像平面，对各处非等高但高度变化小于实际输电线平均高度10％的实际输电线，进行圆迹合成孔径雷达二维成像；

步骤S3:根据各处等高的理想输电线高度模型，从圆迹合成孔径雷达二维图像中提取实际输电线的高程初始值；

步骤S4:获取一系列实际输电线在不同位置处聚焦的二维图像，以聚焦好的位置处的高度作为样本进行曲线拟合，得到整条实际输电线的高程。

2.根据权利要求1所述基于圆迹合成孔径雷达二维图像的输电线高程提取方法，其特征在于，采用单通道圆迹合成孔径雷达二维图像提取实际输电线高程。

3.根据权利要求1所述基于圆迹合成孔径雷达二维图像的输电线高程提取方法，其特征在于，所述理想输电线高度z模型如下:

$z=\±\frac{d\sqrt{1+k^2}}{|({\mathrm{sin\φ}}_2-{\mathrm{sin\φ}}_1)-k({\mathrm{cos\φ}}_2-{\mathrm{cos\φ}}_1)|tan\mathrm{\θ}}+z_{plan}$

其中：d为二维成像结果中斜率相同的第一条直线与第二条直线之间的距离，k为成像结果的第一条直线或第二条直线的斜率，φ₁为圆迹合成孔径雷达的第一个子孔径的中心方位角，φ₂为圆迹合成孔径雷达的第二个子孔径的中心方位角，θ为圆迹合成孔径雷达的下视角，z_plan为成像平面的高度。

4.根据权利要求3所述基于圆迹合成孔径雷达二维图像的输电线高程提取方法，其特征在于，若所述成像平面的高度高于理想输电线高度，则所述理想输电线高度z模型等号右边第一项取负号，若所述成像平面的高度低于理想输电线高度，则所述理想输电线高度z模型等号右边第一项取正号。