[发明专利]一种OGS触摸屏结构及电子设备在审
| 申请号: | 201510410854.1 | 申请日: | 2015-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN105022543A | 公开(公告)日: | 2015-11-04 |
| 发明(设计)人: | 李尧;沈效龙;张国强 | 申请(专利权)人: | 山东华芯富创电子科技有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 山东众成仁和律师事务所 37229 | 代理人: | 丁修亭;魏德臣 |
| 地址: | 250102 山东省济南市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 ogs 触摸屏 结构 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及一种OGS触摸屏结构,以及应用该OGS触摸屏结构的电子设备,其中OGS(One Glass Solution),是直接在保护玻璃上直接形成ITO导电膜及传感器的技术。
背景技术
BM(Black Matrix,黑矩阵)是指在玻璃、塑料、金属或树脂等材料上进行的电子印刷。现有的智能手机屏幕上周边的有色部分就是BM的一种。BM称为黑矩阵,但实际包含多种颜色,其中就包括白色,其实质是彩色微电子印刷技术。
现有OGS普遍采用在玻璃背面先制作BM再制作ITO的步骤,在边框结构的制程中,不可避免的会使用例如激光雕刻工艺,以进行例如银浆层的雕刻。为避免银浆层雕刻所产生引脚之间的短接,需要将引脚之间的银浆全部去除,失去了银浆的阻挡,激光会直接投射到BM上,造成BM的损伤。为此,需要有从背面对BM进行修补的步骤,但经过修补的BM的质量无法得到保证,容易出现纹理等缺陷。
在一些实现中,在玻璃的正面也就是设置ITO膜层的面设置BM,虽然无法避免BM在雕刻银浆层时的损伤,但在激光雕刻后,再在背面制作BM可以有效的掩盖正面BM的损伤,并且不会产生纹理。然而在玻璃的背面制作的BM往往需要盖板等的保护,整体厚度偏大。
在如中国专利文献CN203643993U,公开了一种正面电镀BM的多点触控OGS触摸屏,该触摸屏在其玻璃基板的一面设置BM层,另一面设置多点触控ITO层,并在BM层上叠置透明层。ITO层需要制作引脚,引脚的制作如前所述,一般需要激光雕刻,激光雕刻后期会透过玻璃基板烧蚀相应区域的BM,造成BM的损伤,如果预先制作了透明层,那么BM被损伤的部分将无法得到修复。
典型地,中国专利文献CN203812222U则公开了一种单层多点OGS电容屏结构,该技术方案专用于具有毛毛虫结构的OCS电容屏,目前的OGS中只有毛毛虫结构使用ITO作为触控屏或者线路板和其它器件的导线,应当理解,其他OGS都是使用引线作为导线的。
上述文献CN203812222U在其背景技术部分对当前单层多点并具有毛毛虫结构的OGS电容屏结构制程中所存在的问题做出了相对详细的说明,为解决单层ITO蚀刻痕(ITO和BM存在色差)造成的外观不良,提出了一种用以彻底去除BM黑色边框处ITO蚀刻痕的单层多点OGS电容屏结构,它在盖板玻璃上首先在预定的边框区域上制作一层BM光阻薄膜,然后制作整面的ITO薄膜,蚀刻ITO薄膜形成ITO图案层,柔性电路板通过蚀刻所产生的结构与ITO图案层电气连接。
上述文献CN203812222U只能应用于毛毛虫结构的OGS中,且通过蚀刻实现ITO图案层与柔性电路板连接的结构本身就需要对BM层(BM黑色边框)进行破坏,尽管采用了光阻材料形成了形成了新的边框非可视区域,但BM层的功能性在此并没有得到体现,其本体的功能相当于采用附加的BM光阻薄膜取代。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供一种OGS触摸屏结构,以降低BM损伤对边框外观影响,本发明还提供了一种应用该OGS触摸屏结构的电子设备。
本发明采用的技术方案为:
依据本发明的第一个方面,一种OGS触摸屏结构,包括:
玻璃基板,该玻璃基板具有预定的边框区域和边框区域所围绕的视窗区域;
第一BM,形成在边框区域;
第一透明导电层,叠置在形成有第一BM的玻璃基板的一面,具有第一维度的图案;相应于第一维度两端的边框区域形成有第一透明导电层的第一接线区;
绝缘层,形成在第一透明导电层上;
第二透明导电层,叠置在第一透明导电层上,并通过绝缘层与第一透明导电层绝缘;该第二透明导电层具有第二维度的图案,该第二维度与第一维度正交;相应于该第一维度两端的边框区域形成有第二透明导电层的第二接线区;
第二BM,形成在第一接线区和第二接线区,用以构造为保护BM;以及
银胶层,具有分布在第一接线区而与第一维度的图案电气连接的第一引脚区和分布在第二接线区而与第二维度的图案电气连接的第二引脚区。
上述OGS触摸屏结构,可选地,所述第二BM为白色BM。
可选地,所述白色BM的厚度不小于12nm。
可选地,所述白色BM的厚度不大于17nm。
优选地,所述第二BM的厚度为15nm。
可选地,所述第一BM为黑色BM。
可选地,所述黑色BM的厚度为6nm。
可选地,所述第一BM为耐第一透明导电层和第二透明导电层制作时烘烤温度的耐高温BM。
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