[发明专利]掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件及制造方法

权利要求书

1.掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件，其特征在于，所述封装件主要由第一金属层(3)、中间金属层(4)、第三金属层(5)、芯片(6)、金属线(7)、塑封体(8)组成；所述第一金属层(3)、中间金属层(4)和第三金属层(5)依次连接形成联合金属层，联合金属层分为相互分离的左中右三段，所述芯片(6)与联合金属层中间段的第三金属层(5)连接，金属线(7)连接芯片(6)与联合金属层左段和右段的第三金属层(5)，塑封体(8)包围第一金属层(3)、中间金属层(4)、第三金属层(5)、芯片(6)、金属线(7)。

2.根据权利要求1所述的掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件，其特征在于，所述中间金属层(4)为镍、铜、银及其复合金属层。

3.根据权利要求1所述的掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件，其特征在于，所述第三金属层(5)为银、钯、金、铜及其合金层的容易球焊的金属。

4.根据权利要求1、2或者3所述的掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件，其特征在于，所述第一金属层(3)为铜、锡、镍或者银与锡容易焊接的金属，其硬度较中间金属层(4)和第三金属层(5)小。

5.根据权利要求1所述的掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件，其特征在于，所述第一金属层(3)厚度为10～200UM，中间金属层(4)厚度为2～20UM，第三金属层(5)厚度为2～20UM。

6.根据权利要求1所述的掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件，其特征在于，所述第一金属层(3)厚度大于中间金属层(4)和第三金属层(5)的厚度。

7.一种掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件的制造方法，其特征在于，所述方法的具体步骤如下：

第一步，载板(1)制作，载板(1)为金属或者非金属；

第二步，腐蚀框架工艺中采取干法或者湿法形成掩膜(2)；

第三步，掩膜(2)曝光形成图形；

第四步，在图形间隙中电镀第一金属层(3)，厚度为10～200UM，大于掩膜的厚度；

第五步，在第一金属层(3)上电镀中间金属层(4)，厚度为2～20UM，小于第一金属层(3)的厚度；

第六步，在中间金属层(4)上电镀第三金属层(5)，厚度为2～20UM，小于第一金属层(3)的厚度；

第七步，去除残余掩膜(2)后，在载板(1)上，第一金属层(3)、中间金属层(4)和第三金属层(5)依次连接形成了联合金属层，联合金属层分为相互分离的左中右三段；

第八步，装片，所述芯片(6)与联合金属层中间段的第三金属层(5)连接；

第九步，打线，金属线(7)连接芯片(6)与联合金属层左段和右段的第三金属层(5)；

第十步，塑封，塑封体(8)包围第一金属层(3)、中间金属层(4)、第三金属层(5)、芯片(6)、金属线(7)；

第十一步，去除载板(1)；

第十二步，切割整条产品形成单个单元。

8.根据权利要求7所述的掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件的制造方法，其特征在于，所述中间金属层(4)的材料为镍、铜、银及其复合金属层。

9.根据权利要求7所述的掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件的制造方法，其特征在于，所述第三金属层(5)的材料为银、钯、金、铜及其合金层等容易球焊的金属。

10.根据权利要求7所述的掩膜曝光下利用金属硬度差优化管脚的封装件的制造方法，其特征在于，所述第一金属层(3)的材料为铜、锡、镍、银与锡容易焊接的金属，其硬度较中间金属层(4)和第三金属层(5)小，其厚度大于中间金属层(4)和第三金属层(5)的厚度。