[发明专利]液晶显示器的像素阵列

说明书

本文讨论了一种液晶显示器的像素阵列。该像素阵列可以包括：第一像素，包括被充电至第一数据电压的第一像素电极、位置与第一像素电极相对并形成电场的上部公共电极、向上部公共电极施加公共电压的下部公共电极、以及用于在预定时段期间保持第一数据电压的第一存储电容器；以及第二像素，包括被充电至第二数据电压的第二像素电极、上部公共电极、下部公共电极以及用于在预定时段期间保持第二数据电压的第二存储电容器。第一存储电容器和第二存储电容器位于在水平方向上位置彼此相邻的第一像素与第二像素之间的存储区域中。

本申请要求于2014年7月15日提交的第10-2014-0089363号韩国专利申请的优先权，其通过引用全部合并于此。

技术领域

本发明的实施例涉及液晶显示器的像素阵列。

背景技术

显示装置已快速地从大型阴极射线管(CRT)变为具有剖面薄、重量轻且屏幕大的平板显示器(FPD)。平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器以及电泳显示器(EPD)。在平板显示器之中，液晶显示器通过基于数据电压控制向液晶分子施加的电场来显示图像。有源矩阵液晶显示器由于工艺技术和驱动技术的发展而降低了制造成本并改进了性能。因此，有源矩阵液晶显示器应用于从小型移动装置到大型电视机的许多显示装置并得到了广泛使用。

如图1所示，根据现有技术的液晶显示器包括分别形成在数据线DL与栅极线GL的交叉点处的像素。每个像素可包括像素电极UPXL、位置与像素电极UPXL相对且形成液晶驱动电场的上部公共电极UCOM、与上部公共电极UCOM接触的下部公共电极DCOM以及响应于来自栅极线GL的栅极脉冲(或扫描脉冲)而接通在数据线DL与像素电极UPXL之间流动的电流的薄膜晶体管(TFT)。数据电压被施加至数据线DL，以及公共电压被施加至下部公共电极DCOM。像素电极UPXL通过接触孔CT连接至TFT的漏电极(或源电极)，并且接收通过TFT施加的数据线DL上的数据电压。上部公共电极UCOM通过接触孔(未示出)连接至下部公共电极DCOM并且从下部公共电极DCOM接收公共电压。

每个TFT仅在一帧的一部分(例如，一个水平时段)(下文中称为“充电时段”)期间保持接通状态，并且在该一帧的剩余时段期间保持关断状态。因而，每个像素包括存储电容器，使得在剩余时段期间保持在充电时段期间充电至像素电极UPXL的数据电压。存储电容器的一个电极必须连接至像素电极UPXL，并且存储电容器的另一电极必须连接至上部公共电极UCOM或下部公共电极DCOM，以保持数据电压。

为此，如图1和图2所示，在现有技术的液晶显示器中，使用连接至像素电极UPXL的TFT的漏电极MPXL作为一个电极以及使用下部公共电极DCOM作为另一电极的存储电容器Cst形成在栅极线GL附近。在图2中，“GLS”表示基板，“GI”表示栅极绝缘层，以及“PAS”表示无机绝缘层。

存储电容器Cst的电容与构成存储电容器Cst的两个电极之间的重叠区域成比例，并且与存储电容器Cst的两个电极之间的间隔距离成反比。存储电容器Cst的电容可能根据在存储电容器Cst的工艺中必定产生的寄生电容而变化。在该示例中，在构成存储电容器Cst的两个电极与不用于构成存储电容器Cst的另一电极之间产生寄生电容。例如，在栅极线GL与TFT的漏电极MPXL之间存在寄生电容Cgd，在栅极线GL与TFT的源电极之间存在寄生电容Cgs等。由于当寄生电容的影响增加时存储电容器Cst的电压保持强度降低，因此存储电容器Cst的面积必须增大以便获得期望的电压保持强度。

由于现有技术的液晶显示器包括形成在栅极线GL附近的存储电容器Cst，因此存储电容器Cst的电压保持强度由于栅极线GL而降低。现有技术的液晶显示器包括以大面积形成以补偿电压保持强度的降低的存储电容器Cst，但这导致显示器的开口率减小。

发明内容

本发明的实施例提供了能够最小化由存储电容器导致的开口率的减小的液晶显示器的像素阵列。