[发明专利]显示装置

说明书

一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置。

背景技术

在有源矩阵方式的显示装置中，像素的开关元件使用薄膜晶体管(Thin-filmTransistor：TFT)。此外，在有效区(显示区域)的外侧的边框区域(非显示区域)中形成的驱动器的开关元件也使用薄膜晶体管。

此外，作为TFT，为了增大导通电流，提出了双沟道构造的TFT。该TFT具有：第一非晶硅膜；位于第一非晶硅膜的上方且与第一非晶硅膜对置的第二非晶硅膜；以及介于第一非晶硅膜与第二非晶硅膜之间的栅电极。即，上述TFT具有2个非晶硅膜。而且，在上述的情况下，与将第一非晶硅膜及第二非晶硅膜形成于同一水平的层的情况相比，能够缩小上述TFT的占有面积。

发明内容

一个实施方式涉及一种显示装置，其中，具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备：第一半导体层，具有第一区域、第二区域、以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第一沟道区域；第一绝缘膜，形成于所述第一半导体层的第一沟道区域之上；栅电极，形成于所述第一绝缘膜之上，与所述第一沟道区域对置；第二绝缘膜，形成于所述栅电极之上；第二半导体层，形成于所述第二绝缘膜之上，与所述第一半导体层对置，具有与所述第一区域电连接的第三区域、与所述第二区域电连接的第四区域、位于所述第三区域与所述第四区域之间且与所述栅电极对置的第二沟道区域；第一电极，位于所述第二半导体层的上方，与所述第三区域接触；以及第二电极，位于所述第二半导体层的上方，与所述第一电极隔开间隔，与所述第四区域接触；相互对置的所述栅电极的底面与所述第一沟道区域的上表面之间的间隔，大于相互对置的所述栅电极的上表面与所述第二沟道区域的底面之间的间隔。

另一个实施方式涉及一种显示装置，其中，具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备：第一半导体层，具有第一区域、第二区域、以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第一沟道区域；第一绝缘膜，形成于所述第一半导体层的第一沟道区域之上；栅电极，形成于所述第一绝缘膜之上，与所述第一沟道区域对置；第二绝缘膜，形成于所述栅电极之上；第二半导体层，形成于所述第二绝缘膜之上，与所述第一半导体层对置，具有与所述第一区域电连接的第三区域、与所述第二区域电连接的第四区域、位于所述第三区域与所述第四区域之间且与所述栅电极对置的第二沟道区域；第一电极，位于所述第二半导体层的上方，与所述第三区域接触；以及第二电极，位于所述第二半导体层的上方，与所述第一电极隔开间隔，与所述第四区域接触；所述栅电极具备与所述第一沟道区域对置的底面、以及与所述第二沟道区域对置且面积比所述底面的面积小的上表面，形成为正锥台状。

附图说明

图1是示出一个实施方式的显示装置的构成及等效电路的概略俯视图。

图2是概略地示出上述显示装置的一部分的截面图，是表示薄膜晶体管的图。

图3是用曲线图来示出图2所示的薄膜晶体管及比较例的薄膜晶体管中的、漏极电流(Id)相对于栅极电压(Vg)的变化的图。

图4是用于说明图2所示的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。

图5是接着图4的、用于说明图2所示的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。

图6是接着图5的、用于说明图2所示的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。

图7是接着图6的、用于说明图2所示的薄膜晶体管的制造方法的概略截面图。

图8是示出上述实施方式的实施例的显示装置的概略截面图。

图9是示出上述实施方式的变形例1的显示装置的阵列基板的概略截面图。