[发明专利]测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置

权利要求书

1.一种测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置，其特征在于，包括：

激励光源，其发出的照射光；

介质材料，待测样品浸入所述介质材料，所述照射光照射到所述介质材料从而引起待测样品周围介质材料的折射率发生变化，由此造成引起所述待测样品的表面薄层内折射率发生变化；

激光探针，其发出的光信号穿过所述介质材料，并因所述介质材料的折射率变化而发生偏转；

位置传感器，其感测所述偏转并发出偏转信号；及

计算装置，其根据所述偏转信号计算出所测薄膜材料的缺陷态密度。

2.根据权利要求1所述的测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置，其特征在于，所述激励光源为单色仪。

3.根据权利要求2所述的测量非晶硅薄膜带隙缺陷态密度的装置，其特征在于，所述介质材料为四氯化碳。