[发明专利]一种阵列基板及其制作方法有效
| 申请号: | 201510406092.8 | 申请日: | 2015-07-10 |
| 公开(公告)号: | CN105093735B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
| 发明(设计)人: | 叶成亮 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1335;G02F1/13 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成黑色矩阵层,所述黑色矩阵层包括多个黑色矩阵;
在所述黑色矩阵层上制作开关阵列层,所述开关阵列层包括多个薄膜晶体管;
在所述开关阵列层上形成色阻层,所述色阻层包括多个彩膜色阻;以及
在所述色阻层上形成透明导电层;
其中所述彩膜色阻内具有一透光区域,所述黑色矩阵与相应的所述彩膜色阻的透光区域的间距最小边之间的间距至少为2微米,所述间距最小边为距离所述黑色矩阵最小的边。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,
在所述黑色矩阵层和所述开关阵列层之间还设置有第一绝缘层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述在所述黑色矩阵层上制作开关阵列层的步骤包括:
在所述黑色矩阵层上形成第一金属层,对所述第一金属层进行图形化处理,以形成多个栅极;
在所述第一金属层上形成有源层,所述有源层用于形成沟道;
在所述有源层上形成第二金属层,对所述第二金属层进行图形化处理,以形成多个源极、多个漏极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,
在所述色阻层上形成过孔;所述透明导电层通过所述过孔与所述第二金属层连接。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,
在所述开关阵列层和所述色阻层之间还设置有第二绝缘层。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,
在所述色阻层和所述透明导电层之间还设置有第三绝缘层。
7.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
黑色矩阵层,位于所述衬底基板上,所述黑色矩阵层包括多个黑色矩阵;
开关阵列层,位于所述黑色矩阵层上,所述开关阵列层包括多个薄膜晶体管;
色阻层,位于所述开关阵列层上,所述色阻层包括多个彩膜色阻;以及
透明导电层,位于所述色阻层上;
其中所述彩膜色阻内具有一透光区域,所述黑色矩阵与相应的所述彩膜色阻的透光区域的间距最小边之间的间距至少为2微米,所述间距最小边为距离所述黑色矩阵最小的边。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,
在所述黑色矩阵层和所述开关阵列层之间还设置有第一绝缘层。
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