[发明专利]一种资料存储型闪存中的锁存器使能信号处理装置

说明书

本发明提供了一种资料存储型闪存中锁存器使能信号处理装置，包括，第一反相器、第二反相器、第三反相器、传输门、或非门及使能反相器；第一反相器输入端与外部处理器相连，输出端与传输门输入端相连；传输门输出端与或非门第一输入端及使能反相器输出端相连；或非门第二输入端接入芯片复位信号，输出端与第二反相器输入端及使能反相器输入端相连；使能反相器输出端与或非门第一输入端及所述传输门输出端相连；第二反相器的输出端与第三反相器输入端相连，第三反相器输出端与状态机相连。通过正反馈的方式使锁存在芯片内部的ALE与CLE信号，克服了芯片晶体管由于工作电压的降低造成信号保持时间不足，满足芯片使用的既定标准。

技术领域

本发明涉及存储器操作的技术领域，特别是涉及一种资料存储型闪存中锁存器使能信号处理装置。

背景技术

随着电子产品的不断发展，芯片技术也在发生着巨大的变化。资料存储型闪存作为闪存FLASH的一种，由于其内部非线性宏单元模式为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。资料存储型闪存存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

但资料存储型闪存在其应用领域也存在一定的不足。由于电子产品的工作电压越来越低，致使芯片内晶体管工作在此低压状态下，造成部分信号保持时间不能满足芯片使用的既定标准。

发明内容

针对以上不足，本发明提出了一种资料存储型闪存中锁存器使能信号处理装置，能够使得当信号保持时间不足时，通过处理使信号能够满足既定标准。

为了实现以上技术方案，本发明提供了一种资料存储型闪存中锁存器使能信号处理装置，包括，第一反相器、第二反相器、第三反相器、传输门、或非门及使能反相器；

其中，所述第一反相器输入端与外部处理器相连，用于接收锁存器使能信号，所述第一反相器的输出端与所述传输门的输入端相连；

所述传输门包括有第一控制端及第二控制端，分别接入芯片内部写使能信号及芯片内部写使能信号的负信号；所述传输门的输出端与所述或非门的第一输入端及所述使能反相器的输出端相连；

所述或非门的第二输入端接入芯片复位信号，所述或非门的输出端与所述第二反相器的输入端及所述使能反相器输入端相连；

所述使能反相器包括有第一控制端及第二控制端，分别接入芯片内部写使能信号及芯片内部写使能信号的负信号，所述使能反相器的输出端与所述或非门第一输入端及所述传输门的输出端相连；

所述第二反相器的输出端与所述第三反相器的输入端相连，所述第三反相器的输出端与状态机相连。

进一步的，所述传输门第一控制端接入所述芯片内部写使能信号，所述第二控制端接入所述芯片内部写使能信号的负信号，用于控制所述传输门的打开与闭合。

进一步的，所述使能反相器第一控制端接入所述芯片内部写使能信号，所述第二控制端接入所述芯片内部写使能信号的负信号，用于控制所述使能反相器的打开与闭合，进而调节所述使能反相器与所述或非门之间的正反馈。

进一步的，所述传输门的控制端以及所述使能反相器的控制端接入的为同步写使能信号。

进一步的，所述锁存器使能信号包括地址锁存器使能信号或命令锁存器使能信号。

本发明通过对原有芯片内部控制电路加入传输门及正反馈器件，锁住芯片内部锁存器使能信号。通过正反馈的方式使锁存在芯片内部的锁存器使能信号，克服了芯片晶体管由于工作电压的降低造成信号保持时间不足，满足芯片使用的既定标准。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种资料存储型闪存中的锁存器使能信号处理装置的结构图。