[发明专利]一种高功率因数驱动电路

说明书

技术领域：

本发明涉及电子电路技术领域，更具体地说涉及一种高功率因数驱动电路。

背景技术：

因数驱动电为设置在电路中的一种整流电路，现有技术中因数驱动电路导通角很小，电流呈现脉冲型，所以功率因数很低。

发明内容：

本发明的目的就在于提供一种高功率因数驱动电路，它大大提高了电容整流电路的功率因数。

为实现上述目的，本发明的一种高功率因数驱动电路，所述驱动电路包括接连接交流市电的火线和零线的输入端，所述驱动电路还包括输出端，其特征在于，所述输入端连接有整流桥电路，所述整流桥电路与填谷补偿电路连接，所述驱动电路还包括对填谷补偿电路起缓上电作用和限流保护的可编程控制器，所述填谷补偿电路中具有两个容值相等的电容，所述可编程控制器具有MOS管

作为上述技术方案的优选，所述可编程控制器具有MOS管栅极、MOS漏极、MOS管源极和电流采样引脚。

作为上述技术方案的优选，所述可编程控制器与分压电路连接，所述分压电路为可编程控制器提供电源电压同时为可编程控制器MOS管提供栅极导通电压。

作为上述技术方案的优选，所述MOS管栅极连接有止MOS管产生自激振荡的栅极串阻。

作为上述技术方案的优选，所述电流采样引脚上连接有采样电阻。

作为上述技术方案的优选，所述分压电路上连接有缓上电电容。

本发明的有益效果在于：本发明提供了一种高功率因数驱动电路，它大大提高了电容整流电路的功率因数。

附图说明：

下面结合附图对本发明做进一步的说明：

图1为本发明实施例的电路原理图

具体实施方式：

以下所述仅为体现本发明原理的较佳实施例，并不因此而限定本发明的保护范围

实施例：如图1所示为本发明一种高功率因数驱动电路的实施例，所述驱动电路包括接连接交流市电的火线和零线的输入端，所述驱动电路还包括输出端，其特征在于，所述输入端连接有整流桥电路，所述整流桥电路与填谷补偿电路连接，所述驱动电路还包括对填谷补偿电路起缓上电作用和限流保护的可编程控制器，所述填谷补偿电路中具有两个容值相等的电容，所述可编程控制器具有MOS管

可编程控制器具有MOS管栅极、MOS漏极、MOS管源极和电流采样引脚。

可编程控制器与分压电路连接，所述分压电路为可编程控制器提供电源电压同时为可编程控制器MOS管提供栅极导通电压。

MOS管栅极连接有止MOS管产生自激振荡的栅极串阻。

电流采样引脚上连接有采样电阻。

分压电路上连接有缓上电电容。

具体地说，该电路是一个带填谷式FPC(功率因数补偿)的降压型恒流LED驱动电路。其输入是ACL和ACL，接交流市电的火线和零线。其输出是Vout+和Vout-，输出是恒流电流，Vout+接LED的阳极，Vout-接LED的阴极。

该电路可以分成两个部分。一个由L2、L3、DB1、C2、C4、C5、D1、D2、D3组成的填谷式整流滤波电路；另一个部分由R1、R2、R4、R5、R6、C1、U1、L1和D8组成的降压型恒流驱动电路。

该填谷式整流滤波电路具有功率因数补偿作用，使得功率因数可以达到0.9以上。

功率因数补偿的原理是填谷式，填谷式补偿主要利用电容C2、C4、D1、D2、D3(C2和C4的容值必须相等)。在交流电压大于155.6V时，市电通过整流桥DB1、C2、D3、C4给电容C2和C4充电，此时，D2和D1反偏不导通，市电对串联的C2和C4充电；在交流电压小于155.6V时，C2通过D1向负载放电，C4也通过D2向负载放电，D3反偏不导通，C2和C4并联对负载放电。

这样在交流电正向大于1/2峰值时整流桥的二极管就导通，正半周期导通角度为30度-150度，当交流电负向大于1/2峰值时整流桥的二极管也导通，负半周期导通角度为210度-330度

相比于普通整流器大滤波电容整流电路的功率因数大大提高，普通整流滤波电路的整流二极管只有在交流电峰峰值附近才导通，导通角很小，电流呈现脉冲型，所以功率因数很低。

电路中电容C5为滤波电容，已减少电路输出直流电压的纹波。