[发明专利]一种薄片状二氧化钛阵列薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种薄片状二氧化钛阵列薄膜的制备，其特征在于，具体的制备方法包括如下步骤：

（1）将导电玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和去离子水超声清洗，用氮气吹干；

（2）在高纯水中一边缓慢滴加TiCl4一边搅拌；

（3）将步骤（1）中洗净的导电玻璃基底以导电面朝上的方式浸渍于步骤（2）制得的溶液中，70℃水浴加热1h；

（4）将步骤（3）中处理过的导电玻璃基底依次用无水乙醇、去离子水冲洗，干燥、煅烧后备用；

（5）在冰醋酸中加入的硝酸银，搅拌至硝酸银均匀分散在冰醋酸体系中后加入钛酸四正丁酯（98%），继续搅拌至体系均匀，制得反应溶液；

（6）将步骤（4）得到的基底浸渍于步骤（5）所得溶液中，150~200℃反应12~24h，清洗，干燥后得到薄片状二氧化钛阵列薄膜。

2.根据权利要求1中所述的制备薄片状二氧化钛阵列薄膜的方法，其特征在于，所述步骤（2）中高纯水温度为0~10℃。

3.根据权利要求1中所述的制备薄片状二氧化钛阵列薄膜的方法，其特征在于，所述步骤（4）中干燥温度为50~70℃，干燥时间为1~3h；煅烧温度为450~500℃，煅烧时间为30~60min。

4.根据权利要求1中所述的制备薄片状二氧化钛阵列薄膜的方法，其特征在于，所述步骤（5）中冰醋酸体积为30~40ml，硝酸银重量为0.05~0.1g，钛酸四正丁酯的体积为1~1.5ml。

5.根据权利要求1制备的薄片状二氧化钛阵列薄膜，其特征在于，所述的二氧化钛阵列薄膜具有介孔结构的薄片组成。

6.根据权利要求1制备的薄片状二氧化钛阵列薄膜，其特征在于，薄片厚度为10-20nm。

7.根据权利要求1制备的薄片状二氧化钛阵列薄膜，其特征在于，薄膜厚度约为2.4μm。