[发明专利]一种高产玉米密植栽培方法

权利要求书

1.一种高产玉米密植栽培方法，包括种子处理、田间种植、田间管理、除草和水肥管理，其特征在于，所述玉米种子经过腐植酸包衣处理。

2.根据权利要求1所述的高产玉米密植栽培方法，其特征在于：所述种子处理为：选择耐密植、矮秆、株型紧凑、活秆成熟、成熟期适宜、果穗无秃顶、抗倒伏、抗病虫害的优良杂交玉米品种。

3.根据权利要求1所述的高产玉米密植栽培方法，其特征在于：田间种植为：起畦种植，畦宽120-140厘米，畦高约20厘米左右，宽窄行种植，宽行行距100～150厘米，窄行行距为40～50厘米，穴距为35～40厘米，每穴3株，将已处理好的种子每点双粒播于沟中，边播边盖土，盖土1寸并踏实，亩留苗5700～6700株。

4.根据权利要求1所述的高产玉米密植栽培方法，其特征在于：所述田间管理包括(1)施肥：在现有施肥基础上增加腐植酸复合肥底肥，现有底肥硫酸钾复合肥40公斤/亩，加施磷酸二胺10公斤/亩做底肥，同时施入生物菌肥1公斤/亩，注意种肥分离，肥料与种子距离8～10厘米；腐植酸复合肥深松全层一次施用施肥量为1187.5kg/hm2在10-25cm区间；追肥：在5-6片叶时，第一次追施苗肥，每亩施尿素7.5-10公斤，于畦中间开沟条施，然后盖土，在8-9片叶时，进行第二次追肥，即施攻秆肥，这次肥量占总施肥量的25％左右，每亩施复合肥10公斤加氯化钾7.5公斤，施肥方式为条施，在14-15片叶时，进行第三次施肥，即施攻穗肥，这次肥量占总施肥量的35％左右，每亩施复合肥20公斤加氯化钾10公斤，结合大培土施用，在9片叶和15片叶时分别进行一次根外追肥，亩用50克稀土或800-1000倍磷酸二氢钾喷施。

5.根据权利要求1所述的高产玉米密植栽培方法，其特征在于：所述除草为：播种后喷除草剂乙草胺、莠去津，防除苗期杂草；中耕：封垄前，与除草结合，中耕培土高度7～8cm，促进气生根发育、防止倒伏、利于排灌、掩埋杂草；喷植物生长调节剂，由于苗数增加，在玉米8～10叶期，喷施配制好的矮控密植调节剂，胺鲜脂乙烯利，亩用量40克/亩。

6.根据权利要求1所述的高产玉米密植栽培方法，其特征在于：所述水肥管理：玉米从拔节到抽穗植株开始进入旺盛生长，需水分多，尤其抽雄前后是玉米需水的临界期，这时缺水，发育不良，雌雄花期不协调，影响授粉，造成秃顶、缺粒或空秆，所以这时期应保持土壤持水量在70-80％，雨水多的地区，要注意开沟排水，喇叭口至抽穗期是玉米螟为害的危害期，都要喷施500-800倍敌百虫或杀虫双+Bt粉混合喷施，防治玉米螟。

7.根据权利要求3所述的所述的高产玉米密植栽培方法，其特征在于：玉米株高小于250厘米的，宽行行距为100～120厘米，玉米株高大于250厘米的，宽行行距为120～150厘米。