[发明专利]透明导电膜与包含其的电容式触摸屏有效
| 申请号： | 201510404695.4 | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104951166B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 张国臻 | 申请（专利权）人： | 张家港康得新光电材料有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 赵囡囡;吴贵明 |
| 地址： | 215634 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电 包含 电容 触摸屏 | ||
1.一种透明导电膜，包括透明基材层(20)与设置在所述透明基材层(20)表面上的ITO层(60)，其特征在于，所述ITO层(60)包括：
第一非结晶ITO层(61)，设置在所述透明基材层(20)的表面上；
结晶ITO层(62)，设置在所述第一非结晶ITO层(61)的远离所述透明基材层(20)的表面上；以及
第二非结晶ITO层(63)，设置在所述结晶ITO层(62)的远离所述第一非结晶ITO层(61)的表面上，在后期的热处理过程中，所述第一非结晶ITO层(61)和所述第二非结晶ITO层(63)保持非结晶态，收缩率保持不变。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一非结晶ITO层(61)和/或第二非结晶ITO层(63)中Sn的重量含量为7％～30％。
3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述结晶ITO层(62)中Sn的重量含量为1％～7％。
4.根据权利要求1或2所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一非结晶ITO层(61)的厚度在1～15nm之间。
5.根据权利要求1或2所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一非结晶ITO层(61)的厚度在5～10nm之间。
6.根据权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于，所述结晶ITO层(62)的厚度在5～25nm之间。
7.根据权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于，所述结晶ITO层(62)的厚度在10～20nm之间。
8.根据权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二非结晶ITO层(63)的厚度在1～10nm之间。
9.根据权利要求4所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二非结晶ITO层(63)的厚度在1～5nm之间。
10.根据权利要求1或8所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜还包括：
第一光学调整层(40)，设置在所述透明基材层(20)与所述第一非结晶ITO层(61)之间；以及
第二光学调整层(50)，设置在所述第一光学调整层(40)与所述第一非结晶ITO层(61)之间。
11.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一光学调整层(40)的折射率在1.55～3.00之间。
12.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一光学调整层(40)的折射率1.60～2.80之间。
13.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一光学调整层(40)的厚度在5nm～10μm之间。
14.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一光学调整层(40)的厚度在10nm～5μm之间。
15.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二光学调整层(50)的折射率在1.10～1.55之间。
16.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二光学调整层(50)的折射率在1.20～1.50之间。
17.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二光学调整层(50)的厚度在5～500nm之间。
18.根据权利要求10所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二光学调整层(50)的厚度在10～300nm之间。
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