[发明专利]制造相变化记忆体的方法

权利要求书

1.一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于，包含：

形成一加热元件于一半导体基材上；

形成一第一介电层于该半导体基材及该加热元件上方，其中该第一介电层具有一第一开口露出该加热元件；

形成一导电性阻障层于该第一介电层上，并衬裹该第一开口，且覆蓋该加热元件的頂表面；

形成一相变化材料层于该导电性阻障层上，且填充该第一开口；

移除一部分的该相变化材料层以及一部分的该导电性阻障层，以露出该第一介电层，并形成位于该第一开口中的一相变化元件；

形成一第二介电层于该第一介电层上，其中该第二介电层具有一第二开口露出该相变化元件；

形成一电极材料层于该第二介电层上，并填充该第二开口；以及

移除位于该第二介电层上方的该电极材料层的部分，而形成嵌设于第二开口的一电极结构。

2.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该半导体基材包含一下电极以及一介电层位于该下电极之上，该介电层具有一通孔露出该下电极，且该加热元件形成在该通孔中。

3.根据权利要求2所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该加热元件的一电阻值大于该下电极的一电阻值，且该加热元件的一宽度小于该下电极的一宽度。

4.根据权利要求2所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该第一开口的一宽度为该下电极的一宽度的0.8倍至1.5倍。

5.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该第一开口的一宽度大于该加热元件的一宽度。

6.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该阻障层包含至少一材料是选自氮化钛、氮化钽、钛以及上述的组合所组成的群组，且该电极结构包含至少一材料是选自氮化钛、氮化钽、钛以及上述的组合所组成的群组。

7.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该阻障层、该加热元件以及该电极结构包含至少一种相同的材料。

8.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该第一开口具有一底面及一侧面，且该阻障层包含一底部及一侧壁分别覆盖该第一开口的该底面及该侧面。

9.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，移除该部分的该相变化材料层以及该部分的该阻障层的操作包含：使用化学机械研磨移除位于该第一介电层上方的阻障层和相变化材料层的部分。

10.根据权利要求1所述的制造相变化记忆体的方法，其特征在于，该第一开口及该第二开口分别具有一第一宽度及一第二宽度，且该第二宽度为该第一宽度的1.1倍至1.6倍。