[发明专利]MPW芯片背面金属化方法

权利要求书

1.一种MPW芯片背面金属化方法，其特征是，所述芯片背面金属化方法包括如下步骤：

步骤1、提供第一陪片，并对所述第一陪片进行所需的切割与挑片，以形成芯片置位支撑块，所述芯片置位支撑块内包括若干用于待背面金属化芯片嵌置的芯片置位格；

步骤2、将待背面金属化的芯片正面朝上放置在芯片置位支撑块的芯片置位格内；

步骤3、提供第二陪片，并对所述第二陪片进行所需的切割与挑片，以在第二陪片内形成用于芯片置位支撑块嵌置的支撑块置位格；

步骤4、将上述嵌置有待背面金属化芯片的芯片置位支撑块放置在第二陪片的支撑块置位格内，以形成第三陪片体；

步骤5、对第三陪片体内所有的待背面金属化的芯片进行所需的背面金属化操作，以实现芯片的背面金属化；

所述芯片置位支撑块呈矩形，芯片置位格贯通芯片置位支撑块，芯片置位格的尺寸及形状与待背面金属化芯片的尺寸、形状相适配。

2.根据权利要求1所述的MPW芯片背面金属化方法，其特征是：所述第一陪片、第二陪片均为硅晶圆。