[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质

说明书

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。通过本发明，能够提高形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性、以及提高制造生产能力，并抑制颗粒产生。本发明的衬底处理装置具有：处理室，收纳衬底；衬底支承部，支承所述衬底，且外周具有突出部；分隔部，设置在所述处理室内，与所述突出部相接触，分隔所述处理室与输送所述衬底的输送空间；气体供给部，向所述处理室供给处理气体；以及，分隔吹扫气体供给部，向在对所述衬底供给所述处理气体时在所述接触的部位产生的所述突出部与所述分隔部之间的间隙，供给吹扫气体。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。

背景技术

随着大规模集成电路(Large Scale Integrated Circuit：以下简称为LSI)的高集成化，电路图案的微细化在不断发展。

为了在狭小的面积上集成大量半导体器件，必须将器件的尺寸形成得很小，因此，就必须缩小所要形成的图案的宽度和间隔。

由于近几年的微细化，对于埋入微细结构，尤其是向纵向很深、或横向很窄的空隙结构(槽)内埋入氧化物，用CVD法进行的埋入方法正逐渐达到技术上的极限。另外，由于晶体管的微细化，正在谋求形成薄且均匀的膜。进一步地，为了提高半导体器件的生产率，正在谋求缩短每一张衬底的处理时间。

另外，为了提高半导体器件的生产率，正在谋求提高对衬底的整个面内的处理均匀性。

发明内容

近几年的以LSI、DRAM(动态随机存取存储器、Dynamic Random Access Memory)和闪存(Flash Memory)为代表的半导体器件的最小加工尺寸变得比30nm的宽度还小，而且膜厚也变得很薄，在保持品质的同时，微细化、制造生产能力(through-put)的提高和对衬底的处理均匀性的提高变得越来越难。

本发明的目的在于，提供一种能够提高形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性、提高制造生产能力、并能抑制颗粒产生的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。

根据本发明的一方案，提供一种衬底处理装置，具有：处理室，收纳衬底；衬底支承部，支承所述衬底，且外周具有突出部；分隔部，设置在所述处理室内，与所述突出部相接触，分隔所述处理室与输送所述衬底的输送空间；气体供给部，向所述处理室供给处理气体；以及，分隔吹扫气体供给部，向在对所述衬底供给所述处理气体时在所述接触的部位的产生的所述突出部与所述分隔部之间的间隙供给吹扫气体。

根据本发明的另一方案，提供一种半导体器件的制造方法，具有：将衬底收纳到处理室内的工序；用外周具有突出部的衬底支承部支承所述衬底的工序；以及，在具有分隔部(所述分隔部设置在所述处理室内，与所述突出部相接触并分隔所述处理室与所述输送空间)的衬底处理装置中，向在对所述衬底供给处理气体时在所述接触的部位产生的所述突出部与所述分隔部之间的间隙，供给吹扫气体的工序。

根据本发明的又一方案，提供一种记录介质，记录有使计算机执行如下步骤的程序，即，使衬底收纳到处理室内的步骤；用外周具有突出部的衬底支承部支承所述衬底的步骤；以及，在对分隔部和所述衬底供给处理气体时，向所述突出部与所述分隔部之间产生的间隙供给吹扫气体的步骤，所述分隔部设置在所述处理室内，与所述突出部相接触并分隔所述处理室与所述输送空间。

发明效果

根据本发明的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，能够提高形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性、提高制造生产能力，并能抑制颗粒产生。

附图说明

图1是一个实施方式的衬底处理装置的示意性结构图。

图2是表示一个实施方式的衬底载置台与分隔部的位置关系的示意图。