[发明专利]包括共连接的垂直单元串的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底上的各位线；

所述衬底与所述位线之间的栅极结构；

所述栅极结构与所述位线之间的共源极线；以及

将所述位线连接至所述共源极线的各沟道结构，

其中，所述沟道结构中的每一个包括：

多个第一垂直部分，其穿过所述栅极结构并且连接至所述位线；

第二垂直部分，其穿过所述栅极结构并且连接至所述共源极线；以及

水平部分，其位于所述衬底与所述栅极结构之间，以将所述多个第一垂直部分与所述第二垂直部分彼此连接；

其中，所述栅极结构包括：

堆叠在所述衬底上的各字线；

所述字线与所述位线之间的串选择线；以及

所述字线与所述共源极线之间的地选择线，

其中，所述字线包括位于所述衬底与所述串选择线之间的上字线以及位于所述衬底与所述地选择线之间的下字线，并且

所述下字线在平行于所述衬底的表面的方向上与所述上字线间隔开，

其中，在所述沟道结构中的每一个中，所述多个第一垂直部分共同穿过所述上字线。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述沟道结构中的每一个中，所述第一垂直部分中的每一个连接至对应的一根位线。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述沟道结构中的每一个中，所述多个第一垂直部分穿过所述上字线和所述串选择线，并且

所述第二垂直部分穿过所述下字线和所述地选择线。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，当在平面图中看时，在所述沟道结构中的每一个中，所述水平部分不仅与所述上字线重叠而且与所述下字线重叠。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括穿过所述栅极结构的电极分离图案，

其中，所述电极分离图案位于所述串选择线与所述地选择线之间以及所述上字线与所述下字线之间。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述沟道结构中的每一个中，所述多个第一垂直部分中穿过所述上字线和所述串选择线，

所述第二垂直部分穿过所述下字线和所述地选择线，

所述串选择线、所述地选择线和所述字线平行于第一方向延伸，并且

所述串选择线在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述地选择线间隔开，

其中，所述沟道结构包括在所述第二方向上彼此相邻的一对沟道结构，并且

所述一对沟道结构的第二垂直部分共享所述下字线和所述地选择线。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述一对沟道结构中的一个沟道结构的多个第一垂直部分穿过串选择线和上字线，并且

所述一对沟道结构中的另一个沟道结构的多个第一垂直部分穿过另一串选择线和其它上字线，所述另一串选择线和其它上字线与所述串选择线和上字线通过介于它们之间的地选择线和下字线间隔开。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述共源极线包括彼此间隔开的第一共源极线和第二共源极线，并且

所述沟道结构中的每一个的第二垂直部分包括分别与所述第一共源极线和所述第二共源极线耦合的一对第二垂直部分。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，在所述沟道结构中的每一个中，所述第一垂直部分中的每一个连接至对应的一根位线。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，当在平面图中看时，所述一对沟道结构的第二垂直部分位于所述衬底上以形成z字形排列。