[发明专利]共晶键合方法有效
| 申请号： | 201510397140.1 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104966676B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 丁刘胜;王旭洪;徐元俊 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 共晶键合 方法 | ||
1.一种共晶键合方法，其特征在于，该方法包括：
在第一基片表面形成第一突起部和第一键合材料图形；
在第二基片表面形成第二突起部和第二键合材料图形；
将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐，并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合；
其中，在将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐的情况下，所述第一突起部的位置相对于所述第二突起部的位置具有偏移，
所述第一突起部相对于所述第一键合材料，靠近所述第一基片的中心；并且
所述第二突起部相对于所述第二键合材料，靠近所述第二基片的中心。
2.根据权利要求1所述的共晶键合方法，其中，
所述第一基片表面具有第一电路图形，所述第一电路图形相对于所述第一突起部，靠近所述第一基片的中心；和/或
所述第二基片表面具有第二电路图形，所述第二电路图形相对于所述第二突起部，靠近所述第二基片的中心。
3.根据权利要求1所述的共晶键合方法，其中，
所述第一突起部的厚度与所述第一键合材料图形的厚度相同或不同；并且，
所述第二突起部的厚度与所述第二键合材料图形的厚度相同或不同。
4.根据权利要求1所述的共晶键合方法，其中，
所述第一突起部被设置为沿所述第一基片的周向延伸；并且
所述第二突起部被设置为沿所述第二基片的周向延伸。
5.根据权利要求1所述的共晶键合方法，其中，
所述第一突起部在所述第一基片的径向被周期性设置；
所述第二突起部在所述第二基片的径向被周期性设置；并且
所述第一突起部的周期与所述第二突起部的周期相同。
6.根据权利要求5所述的共晶键合方法，其中，
所述第一突起部的位置相对于所述第二突起部的位置的偏移量为所述周期的一半。
7.根据权利要求1所述的共晶键合方法，其中，
所述第一突起部和所述第二突起部分别为多晶硅、氧化硅或氮化硅。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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