[发明专利]一种超晶格电解质的制备工艺在审
| 申请号： | 201510396789.1 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN105002468A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 丁铁柱;范悦;许彦彬;刘华艳 | 申请（专利权）人： | 内蒙古大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;H01M8/12 |
| 代理公司： | 呼和浩特北方科力专利代理有限公司 15100 | 代理人： | 王社 |
| 地址： | 010051 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶格 电解质 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种超晶格电解质的制备工艺，其特征是：采用脉冲激光溅射仪，其腔室内装有四个独立靶位，激光器为脉冲准分子激光器，溅射靶材使用的是纯度为99％-99.9999％的YSZ，即0.08Y2O3：0.92ZrO2，其尺寸为φ30.8×4.0mm-φ60.8×6.0mm和纯度为99％-99.9999％的SDC，即Ce0.8Sm0.2O2-δ，其尺寸为φ30.8×4.0mm-φ60.8×6.0mm，基底为MgO，单侧抛光，(110)晶向，其尺寸为5×5×0.3mm-15×15×0.8mm，将所述YSZ靶材、SDC靶材和单侧抛光的MgO基底固定在相应样品架上，基底和YSZ靶材、SDC靶材的距离为3cm-8cm，激光器工作模式为恒压27KV，激光能量在650-690mJ，频率为5Hz，溅射前需除去靶材表面氧化层和其它杂质，然后打开挡板开始溅射，通过调节激光的能量以及脉冲次数来控制薄膜的厚度，调整高纯Ar和O2气体流量比来达到所需溅射氧气含量，氧分压为3-5Pa，在MgO基底上交替溅射YSZ靶材和SDC靶材，然后将样品在500-1500℃下热处理1-3h，形成(SDC/YSZ)N超晶格电解质薄膜，N是超晶格的周期数，N＝1-50。
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