[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置在审
| 申请号: | 201510395718.X | 申请日: | 2015-07-06 |
| 公开(公告)号: | CN105097834A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
| 发明(设计)人: | 罗强强;杨潇宇;權基瑛;李震芳;苏晓俊 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 230012 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括显示区域和非显示区域;所述非显示区域包括在衬底基板上间隔设置的第一层叠结构和第二层叠结构,所述第一层叠结构和所述第二层叠结构之间的间隙构成连接孔;所述第一层叠结构包括依次层叠设置在所述衬底基板上的第一金属层、第一栅极绝缘层以及第一钝化层;所述第二层叠结构包括依次层叠设置在所述衬底基板上的第二栅极绝缘层、第二金属层以及第二钝化层;其中,
所述第一钝化层上开设有贯穿所述第一钝化层和所述第一栅极绝缘层的第一过孔,所述第一过孔的孔壁上开有沿所述第一过孔高度方向的第一缺口,所述第一缺口的长度与所述第一过孔的高度相同;所述第二钝化层上开设有贯穿所述第二钝化层的第二过孔,所述第二过孔的孔壁上开有沿所述第二过孔高度方向的第二缺口,所述第二缺口的长度与所述第二过孔的高度相同;所述第一过孔通过所述第一缺口与所述连接孔连通,所述第二过孔通过所述第二缺口与所述连接孔连通,所述第一过孔、第二过孔以及连接孔形成非显示区域过孔;所述第一金属层、所述第二金属通过设在所述第一过孔、所述连接孔和所述第二过孔内的导电膜相连。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层和所述第二金属层均与栅极相连;或,
所述第一金属层和所述第二金属层均与公共电极相连;或,
所述第一金属层和所述第二金属层均与源漏极相连。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于:所述导电膜与所述显示区域中像素电极的材料相同,且所述导电膜与所述像素电极相连。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于:所述第一栅极绝缘层和所述第一钝化层之间设有第一有源层,所述第二栅极绝缘层和所述第二金属层之间设有第二有源层。
5.一种权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
步骤S1:在衬底基板上形成第一层叠结构和第二层叠结构;其中,所述第一层叠结构包括依次层叠设置在所述衬底基板上的第一金属层、第一栅极绝缘层以及第一钝化层;所述第二层叠结构包括依次层叠设置在所述衬底基板上的第二栅极绝缘层、第二金属层以及第二钝化层;所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层相连,所述第一钝化层和所述第二钝化层相连形成钝化层;
步骤S2:在所述第一层叠结构和所述第二层叠结构之间形成间隙,使所述第一层叠结构和第二层叠结构之间的间隙构成连接孔,相连的所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层分离,相连的所述第一钝化层和所述第二钝化层分离;在所述第一钝化层上开设贯穿所述第一钝化层和所述第一栅极绝缘层的第一过孔,在所述第二钝化层上开设贯穿所述第二钝化层的第二过孔;其中,
所述第一过孔的孔壁上开有沿所述第一过孔高度方向的第一缺口,所述第一缺口的长度与所述第一过孔的高度相同;所述第二过孔的孔壁上开有沿所述第二过孔高度方向的第二缺口,所述第二缺口的长度与所述第二过孔的高度相同;所述第一过孔通过所述第一缺口与所述连接孔连通,所述第二过孔通过所述第二缺口与所述连接孔连通,所述第一过孔、所述第二过孔以及所述连接孔形成非显示区域过孔;
步骤S3:在所述第一过孔、所述连接孔和所述第二过孔内形成导电膜,使所述第一金属层、所述第二金属层通过所述导电膜相连。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





