[发明专利]阵列基板和显示装置

说明书

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板和显示装置。该阵列基板，划分为显示区和非显示区，所述非显示区设置有第一薄膜晶体管，所述显示区设置有第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管中对应着第一有源层的区域的第一源极与第一漏极之间形成第一沟槽，所述第二薄膜晶体管中对应着第二有源层的区域的第二源极与第二漏极之间形成第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽具有至少局部形状相同的弯折部。该阵列基板中非显示区和显示区薄膜晶体管的沟槽具有至少局部形状相同的弯折部，因此具有相同的介于源极与漏极之间的沟槽区域的曝光性能，显示性能更好。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板和显示装置。

背景技术

在平板显示装置中，为了对各像素进行控制，通常在阵列基板上设置呈矩阵排列的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)和对薄膜晶体管进行驱动的驱动芯片。通常情况下，薄膜晶体管通过构图工艺形成在显示区，驱动芯片绑定(bonding)在非显示区。

随着显示技术的发展，出现了栅极驱动集成GOA(Gate On Array)技术，即将阵列基板中的栅极驱动电路集成在基板上，形成对像素的扫描驱动。其中的栅极驱动电路由薄膜晶体管组成，可以与显示区的薄膜晶体管一样采用构图工艺形成。相比传统的对驱动芯片的绑定工艺，省掉了栅极驱动集成芯片部分，不仅节省成本，同时由于可以省去栅线方向的绑定工艺，还有利于产能提升，因此广泛应用于平板显示装置的非显示区薄膜晶体管中。

薄膜晶体管通常包括栅极G、源极S、漏极D和半导体层。目前非显示区的GOA薄膜晶体管的结构和显示区的像素薄膜晶体管的结构不同：如图1所示的GOA薄膜晶体管中的介于源极与漏极之间的沟槽区通常为U型结构，而如图2所示的像素薄膜晶体管中的介于源极与漏极之间的沟槽区为直角结构。相对而言，GOA薄膜晶体管的介于源极与漏极之间的沟槽结构更节省空间，适合于非显示区的有限空间。

但是，在通过构图工艺形成阵列基板时，曝光步骤中对整张基板采用同一个曝光方向(根据薄膜晶体管在基板上的排版不同，可以为X方向或Y方向)，由于GOA薄膜晶体管的介于源极与漏极之间的沟槽形状和像素薄膜晶体管的介于源极与漏极之间的沟槽形状不一致，因此容易使得GOA区或像素区出现曝光差异(比如不均匀，一些地方曝光好一些地方曝光差)；在曝光步骤之后的显影步骤中，会导致介于源极与漏极之间的沟槽区域因曝光差而出现光刻胶残留；进而，导致GOA区或像素区中一介于源极与漏极之间的沟槽区域因光刻胶残留而出现源漏金属薄膜刻蚀不干净。而GOA区和像素区中任一个出现曝光不均匀均会导致薄膜晶体管的特性受影响，影响产品的显示质量。

可见，规范非显示区和显示区薄膜晶体管的结构，保证构图工艺中上述两个区域中不同结构的薄膜晶体管中具有相同的介于源极与漏极之间的沟槽曝光性能成为目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板和显示装置，该阵列基板中非显示区和显示区薄膜晶体管具有至少局部形状相同的弯折部，因此具有相同的介于源极与漏极之间的沟槽曝光性能，显示质量更好。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该阵列基板，划分为显示区和非显示区，所述非显示区设置有第一薄膜晶体管，所述显示区设置有第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管中对应着第一有源层的区域的第一源极与第一漏极之间形成第一沟槽，所述第二薄膜晶体管中对应着第二有源层的区域的第二源极与第二漏极之间形成第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽具有至少局部形状相同的弯折部。

优选的是，所述第一沟槽具有至少一个第一弯折部，所述第二沟槽具有第二弯折部，所述第一弯折部和所述第二弯折部的弯折角度相同，或者，所述第一弯折部和所述第二弯折部的弯折角度互补。