[发明专利]太阳能电池背抛光的方法在审
| 申请号： | 201510391453.6 | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105047757A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 黄海深;袁占强;袁江芝;吴波;杨秀德 | 申请（专利权）人： | 遵义师范学院 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 | 代理人： | 黄书凯 |
| 地址： | 563099 贵州省遵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.太阳能电池背抛光的方法，其特征在于，包括以下步骤：
A.将硅片进行PECVD处理，在硅片上镀一层氮化硅；
B、将处理后的硅片放入碱洗槽进行碱抛光；
C、将处理后的硅片放入酸洗槽进行酸洗，中和碱液并对金属离子进行去除；
D、将酸洗后的硅片放入水洗槽进行超声水洗，进一步清洁硅片表面。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池背抛光的方法，其特征在于，所述槽体的尺寸长宽均在0.5~1.5m之间，碱液浓度为0.2~50%，酸液浓度0.2~10%；各槽的温度在20~90℃之间，经过各槽时间为30~1200s。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池背抛光的方法，其特征在于，所用碱为NaOH或KOH的一种或两者的混合碱溶液。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池背抛光的方法，其特征在于，所用酸为HCl、HNO3的一种或混合酸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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