[发明专利]一种基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器，包括衬底、依次位于衬底之上的底层线圈、第一生瓷料带层、顶层线圈、第二生瓷料带层、四端惠斯通电桥式各向异性磁阻传感单元层；所述底层线圈与顶层线圈通过金属通孔连接，且底层线圈与顶层线圈中电流流动方向一致，可增强磁场。

2.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器，其特征在于，所述衬底、底层线圈、第一生瓷料带层、顶层线圈、第二生瓷料带层、四端惠斯通电桥式各向异性磁阻传感单元层的电桥引出导线部分采用LTCC技术制备，所述四端惠斯通电桥式各向异性磁阻传感单元层中的磁性传感单元采用真空镀膜技术制备。

3.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器，其特征在于，所述底层线圈和顶层线圈的厚度为1～5μm，所述第一生瓷料带层和第二生瓷料带层的厚度为10～50μm。

4.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器，其特征在于，所述底层线圈和顶层线圈中的线间距相同，线宽相对应。

5.一种基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：选用非磁性的LTCC介质材料作为流延基板材料，采用LTCC技术制作衬底；

步骤2：在步骤1得到的衬底上制备底层线圈；然后在底层线圈上制备一层生瓷料带膜片，得到第一生瓷料带层；

步骤3：在步骤2得到的第一生瓷料带层上制备顶层线圈，然后在顶层线圈上制备一层或两层生瓷料带膜片，作为第二生瓷料带层；所述顶层线圈与底层线圈通过金属通孔连接；

步骤4：在步骤3得到的第二生瓷料带层上制备四端惠斯通电桥式各向异性磁阻传感单元层的电桥引出导线部分，然后进行生瓷料带膜片与金属导体的共烧；最后采用真空蒸镀法沉积磁性材料，得到四端惠斯通电桥式各向异性磁阻传感单元层中的磁性传感单元，从而完成本发明所述磁阻传感器的制备。

6.根据权利要求5所述的基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器的制备方法，其特征在于，步骤2所述底层线圈的制备使用银浆，采用丝网印刷的方法制备得到；步骤3所述顶层线圈的制备使用银浆，采用丝网印刷的方法制备得到；所述金属通孔中采用银浆填孔，实现底层线圈和顶层线圈的连通。

7.根据权利要求5所述的基于LTCC技术的低功耗磁阻传感器的制备方法，其特征在于，步骤4中所述电桥引出导线部分使用银浆制备，采用丝网印刷方法。