[发明专利]将半导体裸片电耦合至接触焊盘的电子部件和方法有效

专利信息
申请号: 201510387851.0 申请日: 2015-07-03
公开(公告)号: CN105244328B 公开(公告)日: 2018-07-10
发明(设计)人: M·斯坦丁;M·波雷 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/488;H01L21/58;H01L21/60
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱
地址: 奥地利*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要:
搜索关键词: 半导体裸片 主表面 电子部件 介电芯层 电耦合 第一电极 接触焊盘 再分布 邻近 部件接触 侧壁 焊盘 嵌入
【说明书】:

发明的各个实施例涉及将半导体裸片电耦合至接触焊盘的电子部件和方法。在一个实施例中,电子部件包括:介电芯层;以及一个或者半导体裸片,包括第一主表面、布置在第一主表面上的第一电极、以及与第一主表面相对的第二主表面;一个或者多个槽布置在介电芯层内并且与半导体裸片邻近;以及再分布结构,将第一电极电耦合至布置为与半导体裸片的第二主表面邻近的部件接触焊盘。半导体裸片嵌入在介电芯层中,而再分布结构的部分布置在槽的侧壁上。

技术领域

本发明总体上涉及半导体封装,并且具体地涉及用于将半导体裸片电耦合至接触焊盘的电子部件和方法。

背景技术

电子部件可以包括在封装中的一个或者多个半导体器件。该封装包括从半导体器件至衬底或引线框架的导电再分布结构,该衬底或引线框架包括外部接触。外部接触用于将电子部件安装到再分布板诸如印刷电路板上。该封装可以包括覆盖半导体器件和内部电连接的壳体。

发明内容

在一个实施例中,公开了一种电子部件,其包括:介电芯层;一个或者多个半导体裸片,该半导体裸片包括第一主表面、布置在第一主表面上的第一电极、以及与第一主表面相对的第二主表面;一个或者多个槽,布置在介电芯层内并且与半导体裸片邻近;以及再分布结构,将第一电极电耦合至布置为与半导体裸片的第二主表面邻近的部件接触焊盘。半导体裸片嵌入在介电芯层中,并且再分布结构的部分布置在槽的侧壁上。

在一个实施例中,公开了一种方法,其包括:将一个或者多个半导体裸片嵌入在介电芯层中,该半导体裸片包括第一主表面、布置在第一主表面上的第一电极、以及与第一主表面相对的第二主表面;将再分布结构的部分布置在一个或者多个槽的侧壁上,该槽布置在介电芯层内并且与半导体裸片邻近,以及将第一电极电耦合至布置为与半导体裸片的第二主表面邻近的部件接触焊盘。

在一个实施例中,公开了一种电子部件,其包括:用于将布置在嵌入在介电芯层中的半导体裸片的第一主表面上的第一电极电耦合至布置为与该半导体裸片的第二主表面邻近的部件接触焊盘的装置,其中用于电耦合的该装置的部分布置在一个或者多个槽的侧壁上,该槽布置在介电芯层内并且与半导体裸片邻近。

附图说明

附图中的元件并不一定相对于彼此按比例绘制而成。类似的附图标记表示对应的相似部分。图示的实施例的各种特征可以彼此组合,除非它们彼此排斥。在附图中描绘了实施例并且在以下的说明书中进行了详细说明。

图1图示了根据第一实施例的电子部件的截面图。

图2图示了根据第一实施例的电子部件的部分剖面透视图。

图3图示了根据第二实施例的电子部件的截面图。

图4图示了根据第三实施例的电子部件的截面图。

图5a图示了介电芯层的上表面的透视图。

图5b图示了介电芯层的下表面的透视图。

图6a图示了嵌入在介电芯层中的半导体裸片的透视图。

图6b图示了介电芯层的包括半导体裸片的下表面的透视图。

图7a图示了布置在介电芯层的上表面上的第一介电层的透视图。

图7b图示了布置在介电芯层的下表面上的第一介电层的透视图。

图8a图示了布置在介电芯层的上表面上的第一导电沉积层的透视图。

图8b图示了布置在介电芯层的下表面上的第一导电层的透视图。

图9a图示了布置在介电芯层的上表面上的第二导电层的透视图。

图9b图示了布置在介电芯层的下表面上的第二导电层的透视图。

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