[发明专利]闪烁体光子晶体结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201510386257.X 申请日: 2015-07-03
公开(公告)号: CN105068106A 公开(公告)日: 2015-11-18
发明(设计)人: 刘金良;刘波;朱智超;陈亮;欧阳晓平;程传伟;胡静 申请(专利权)人: 西北核技术研究所;同济大学
主分类号: G01T1/20 分类号: G01T1/20
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710024 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 闪烁 光子 晶体结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种闪烁体光子晶体结构,其特征在于:包括闪烁体(2)及光子晶体(1),光子晶体(1)紧密贴合于闪烁体(2)的表面,光子晶体(1)由呈六角形或四边形周期排列的光子晶体微结构(101)组成,光子晶体(1)由透明的有机聚合物材料通过紫外光照、加热或辐照方式固化而成。

2.根据权利要求1所述的闪烁体光子晶体结构,其特征在于:所述光子晶体微结构(101)是圆柱型、锥状、长方体型或多面体型的任一种。

3.根据权利要求1所述的闪烁体光子晶体结构,其特征在于:所述光子晶体微结构(101)间距为200~2000nm,高度为50~800nm。

4.根据权利要求1所述的闪烁体光子晶体结构,其特征在于:所述光子晶体微结构(101)是圆柱型时,其直径为100~1000nm。

5.根据权利要求1所述的闪烁体光子晶体结构,其特征在于:所述光子晶体微结构(101)是锥状时,其最大边长为100~1000nm。

6.根据权利要求1所述的闪烁体光子晶体结构,其特征在于:所述光子晶体微结构(101)是长方体型时,其宽度和长度为100~1000nm。

7.根据权利要求1所述的闪烁体光子晶体结构,其特征在于:所述光子晶体微结构(101)是多面体型时,其边长为100~1000nm。

8.一种权利要求1所述闪烁体光子晶体结构的制作方法,其特征在于包括以下步骤:

步骤一、依据闪烁体(2)发射的荧光与介质的电磁作用规律,获得与闪烁体(2)发光特性最优匹配的光子晶体微结构(101)的尺寸,并在基片上制作与计算的光子晶体微结构(101)尺寸相同的正向微结构(301),具有正向微结构(301)的基片即为阳模板(3);

步骤二、在阳模板(3)有正向微结构(301)的一面表面浇注一层聚二甲基硅氧烷,聚二甲基硅氧烷将自然展开并充满正向微结构(301)的间隙,等待聚二甲基硅氧烷固化后将其与阳模板(3)分开,得到一个聚二甲基硅氧烷制成的、一面有反式微结构(401)的阴模板(4);

步骤三、在闪烁体(2)表面旋涂一层透明的有机聚合物(5),将阴模板(4)带有反式微结构(401)的一面覆于有机聚合物(5)之上,对阴模板(4)施加压力使有机聚合物(5)充满反式微结构(401)的间隙,利用紫外光照、辐照或加热方法使有机聚合物(5)逐渐固化成型;

步骤四、保持有机聚合物(5)与闪烁体(2)表面紧密贴合,并将阴模板(4)与固化后的有机聚合物(5)分离,填充进入反式微结构(401)间隙的有机聚合物(5)固化即形成光子晶体微结构(101),固化后的整个有机聚合物(5)即为光子晶体(1)。

9.根据权利要求8所述闪烁体光子晶体结构的制作方法,其特征在于:所述制作阳模板(3)的基片,其表面粗糙度小于1000nm。

10.根据权利要求8所述闪烁体光子晶体结构的制作方法,其特征在于:所述阳模板(3)上浇筑的聚二甲基硅氧烷厚度不小于阳模板(3)的正向微结构(301)高度;闪烁体(2)表面旋涂的有机聚合物(5)厚度不大于阳模板(3)的正向微结构(301)的高度。

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