[发明专利]一种二极管腐蚀清洗工艺

权利要求书

1.一种二极管腐蚀清洗工艺，其特征在于：所述清洗工艺依次为腐蚀、钝化、钝化杂质清洗、热水冲洗浸泡以及超声清洗,其中腐蚀为通过化学腐蚀方式去除芯片侧面因切割而产生的损伤层,钝化为通过化学反应方式钝化芯片侧面，使芯片侧面形成钝化保护层，钝化表面杂质清洗为通过化学反应方式去有机杂质，金属离子，颗粒沾污；热水冲水浸泡工艺使得吸附在芯片钝化层表面的有机杂质、金属离子以及颗粒沾污物质因热量因素加速溶解，超声清洗工位为利用超声空化原理，对钝化表面杂质进行二次清洗。

2.根据权利要求1所述的二极管腐蚀清洗工艺，其特征在于：所述方法的具体步骤如下：

第一步,腐蚀：选取以下材料的混合液作为腐蚀液，具体HNO3:HF:CH3COOH:H2SO4=9:9:12:4，然后在温度为25℃±5℃腐蚀浸泡一次；

第二步,钝化：钝化时，钝化工艺所用原材料及配比为：

H3PO4:H2O2:H2O=1:1:3，然后在温度65℃±10℃钝化一次；

第三步,钝化杂质清洗：清洗液为NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5，在温度为25℃±3℃清洗一次；

第四步,热水冲洗浸泡：在温度为55-70℃，冲洗浸泡30S；

第五步,超声清洗:在常温下，按以下标准清洗一次即可：高纯水流量为3吨/小时，超声频率控制在50-150赫兹；清洗时间为240-600秒。

3.根据权利要求2所述的二极管腐蚀清洗工艺，其特征在于：所述第一步腐蚀液中，HNO3的浓度为68.5%±2%:HF的浓度为49%±0.5%:CH3COOH的浓度为大于等于99.5%；H2SO4的浓度为97%±1%。

4.根据权利要求2所述的二极管腐蚀清洗工艺，其特征在于：所述第二步钝化原材料中H3PO4的浓度大于等于85%，H2O2的浓度大于等于35%。

5.根据权利要求2所述的二极管腐蚀清洗工艺，其特征在于：所述第三步钝化杂质清洗液中NH4OH的浓度17%±1%，H2O2的浓度大于等于35%。