[发明专利]一种掩模版、晶圆定位板及制作方法、晶圆制作方法

权利要求书

1.一种掩模版，其特征在于，包括掩膜图形区域和除所述掩膜图形区域之外的剩余区域，所述掩膜图形区域包括至少两个晶圆定位区域，所述晶圆定位区域的形状与所述待定位晶圆的形状相同；其中，所述掩膜图形区域还包括曝光校平区域，所述曝光校平区域的中心与每个所述晶圆定位区域的中心的距离相等。

2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述掩膜图形区域和除所述掩膜图形区域之外的剩余区域分别为透光区域和不透光区域，或者分别为不透光区域和透光区域。

3.一种晶圆定位板，其特征在于，包括硅片，所述硅片上设置有至少两个晶圆黏贴槽，所述晶圆黏贴槽用于黏贴待定位晶圆；所述硅片上还设置有曝光校平槽，所述曝光校平槽用于黏贴曝光校平平面，所述曝光校平槽的中心与每个所述晶圆黏贴槽的中心的距离相等。

4.根据权利要求3所述的晶圆定位板，其特征在于，所述晶圆黏贴槽的形状与所述待定位晶圆的形状相同，所述曝光校平槽的深度与所述晶圆黏贴槽的深度相同，所述曝光校平平面的厚度与所述待定位晶圆的厚度相同。

5.根据权利要求3所述的晶圆定位板，其特征在于，所述硅片的尺寸为5英寸，所述待定位晶圆的尺寸为2英寸，所述晶圆黏贴槽的个数为3个，所述晶圆黏贴槽围绕所述曝光校平槽为中心，等间隔排列。

6.根据权利要求5所述的晶圆定位板，其特征在于，所述曝光校平槽为边长为3.8毫米至4.2毫米的正方形。

7.一种晶圆定位板的制作方法，其特征在于，包括：

提供硅片；

在所述硅片的一面上涂抹光刻胶；

使用权利要求1或2所述的掩模版对所述硅片上涂抹有光刻胶的一面进行曝光、显影；

在所述硅片的另一面涂抹光刻胶；

对所述硅片进行腐蚀；

去除所述硅片一面上剩余的光刻胶和所述硅片另一面上的光刻胶。

8.根据权利要求7所述的晶圆定位板的制作方法，其特征在于，当使用的掩膜板的掩膜图形区域和除所述掩膜图形区域之外的剩余区域分别为透光区域和不透光区域时，在所述硅片的一面上涂抹的光刻胶为正胶；当使用的掩膜板的掩膜图形区域和除所述掩膜图形区域之外的剩余区域分别为不透光区域和透光区域时，在所述硅片的一面上涂抹的光刻胶为负胶。

9.根据权利要求7所述的晶圆定位板的制作方法，其特征在于，在所述硅片的另一面涂抹的光刻胶为正胶或负胶。

10.根据权利要求7所述的晶圆定位板的制作方法，其特征在于，对所述硅片进行腐蚀用到的工艺为湿法腐蚀，所述湿法腐蚀用到的腐蚀溶液为硝酸溶液、氢氟酸溶液和冰乙酸溶液的混合溶液。

11.根据权利要求10所述的晶圆定位板的制作方法，其特征在于，所述硝酸溶液、所述氢氟酸溶液和所述冰乙酸溶液的体积百分比浓度分别为70％、49％和99％；所述硝酸溶液、所述氢氟酸溶液和所述冰乙酸溶液混合的体积比为3:2:1。

12.根据权利要求7所述的晶圆定位板的制作方法，其特征在于，提供硅片之后，在所述硅片的一面上涂抹光刻胶之前，还包括：

对所述硅片进行光刻前处理，

在所述硅片的一面上涂抹光刻胶之后，使用权利要求1或2所述的掩模版对所述硅片上涂抹有光刻胶的一面进行曝光、显影之前，还包括：

对一面上涂抹了光刻胶的硅片进行前烘处理，

使用权利要求1或2所述的掩模版对所述硅片上涂抹有光刻胶的一面进行曝光、显影之后，在所述硅片的另一面涂抹光刻胶之前，还包括：

对显影后的硅片进行后烘处理。

13.一种晶圆的制作方法，其特征在于，包括：

将至少两个晶圆和曝光校平平面黏贴于权利要求3-6任一所述的晶圆定位板上；

将所述晶圆定位板放置于硅片生产线上，通过所述硅片生产线对所述晶圆进行加工处理。