[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置包括：

第一基板，该第一基板具有像素区域；

第一电极，该第一电极位于所述第一基板上的所述像素区域中；

位于所述第一电极上的发射层，该发射层包括发射材料层；

位于所述发射层上的第二电极，该第二电极包括厚度小于的第一金属层；以及

位于所述发射材料层与所述第一金属层之间的第二金属层，该第二金属层包括铯Cs、钠Na、锂Li、钨W、镁Mg和银Ag中的至少一种，

其中，所述发射层暴露所述第一电极，并且氧化物图案被布置在所述第二电极与通过所述发射层暴露的所述第一电极之间，并且

其中，所述第一金属层包括银和银合金中的一种，并且所述氧化物图案包括氧化银。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，该有机发光二极管显示装置还包括所述第二电极上的封盖层，该封盖层具有大于1.5的折射率。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述封盖层包括无机材料和有机材料中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一金属层包括厚度为至的银，并且所述第一金属层具有板结构。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二金属层是所述发射层的电子注入层，并且该电子注入层包括铯Cs、钠Na、锂Li、钨W和镁Mg中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二金属层是所述第二电极的合金层，并且该合金层包括镁银MgAg合金和铯银CsAg合金中的一种。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一金属层具有至的厚度，并且所述合金层具有至的厚度。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第二电极还包括所述第一金属层上的氧化物层。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述第一金属层具有至的厚度，并且所述氧化物层具有至的厚度。

10.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述银合金包括镁银MgAg合金、铝银AlAg合金、铜银CuAg合金、镁铝银MgAlAg合金、镁铜银MgCuAg合金、铝铜银AlCuAg合金和镁铝铜银MgAlCuAg合金中的一种。

11.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，该方法包括以下步骤：

在第一基板上的像素区域中形成第一电极；

在所述第一电极上形成发射层；

在所述发射层上形成第二电极，该第二电极包括厚度小于的金属层；以及

在氧环境和臭氧环境中的一个环境下分别对所述第一电极和所述第二电极施加低电平电压和高电平电压，

其中，氧化物图案通过氧化所述第二电极的直接接触所述第一电极的部分而形成在所述第二电极与通过所述发射层暴露的所述第一电极之间。

12.根据权利要求11所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述第二电极上形成封盖层，该封盖层具有大于1.5的折射率。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述低电平电压与所述高电平电压之间的差是5V至20V，并且所述低电平电压和所述高电平电压被施加达30秒至60秒。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述金属层包括银，并且所述银是以至的沉积速率沉积的。