[发明专利]硅基低漏电流悬臂梁栅金属氧化物场效应晶体管或非门

权利要求书

1.一种硅基低漏电流悬臂梁栅金属氧化物场效应晶体管或非门，其特征在于该或非门由两个悬臂梁栅NMOS管即第一NMOS管（1）和第二NMOS管（2）以及一个负载电阻（3）组成，两个NMOS管的源极连接在一起共同接地，漏极也连接在一起随后通过负载电阻（3）与电源电压相连接，两路输入信号A、B分别在两个NMOS管的栅极上输入，输出信号在两个NMOS管的漏极和负载电阻（3）之间输出；引线（4）用Al制作，NMOS管的栅极悬浮在二氧化硅层（5）的上方形成悬臂梁栅（6），悬臂梁栅（6）的一端固定在锚区（7）上，另一端悬浮在二氧化硅层（5）的上，锚区（7）用多晶硅制作在二氧化硅层（5）上，N+有源区（8）是NMOS管的源极和漏极，源极和漏极通过通孔（9）与引线（4）连接，下拉电极（10）在悬臂梁栅（6）下的部分被二氧化硅层（5）覆盖，整个或非门电路制作在P型硅衬底（11）上。

2.根据权利要求1所述的硅基低漏电流悬臂梁栅金属氧化物场效应晶体管或非门，其特征在于所述的NMOS管的悬臂梁栅（6）的下拉电压设计的与NMOS管的阈值电压相等，只有当NMOS管的悬臂梁栅（6）上所加的电压大于NMOS管的阈值电压时，其悬臂梁栅（6）才能下拉并接触二氧化硅层5从而使悬臂梁栅NMOS管反型导通，当所加电压小于NMOS管的阈值电压时悬臂梁栅（6）就不能下拉，当该或非门在输入信号的作用下处于工作态时，两个NMOS管就在导通或者截止状态之间变化，当NMOS管处于关断态时其悬臂梁栅（6）就处于悬浮态，使或非门具有较小的直流漏电流。

3.根据权利要求1所述的硅基低漏电流悬臂梁栅金属氧化物场效应晶体管或非门，其特征在于该或非门负载电阻（3）的阻值设置为当其中任意一个NMOS管导通时，相比于导通的NMOS管，该负载电阻（3）的阻值足够大可使得输出为低电平，当两个NMOS管都不能导通时，相比于截止的NMOS管，该电阻的阻值足够小可使得输出为高电平。