[发明专利]基于GaAs基低漏电流双悬臂梁开关频率检测器有效

专利信息
申请号: 201510378246.7 申请日: 2015-07-01
公开(公告)号: CN105044452B 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 廖小平;严嘉彬 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01R23/02 分类号: G01R23/02
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 代理人: 杨晓玲
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 gaas 漏电 悬臂梁 开关 频率 检测器
【权利要求书】:

1.一种基于GaAs基低漏电流双悬臂梁开关频率检测器,其特征是:GaAs基低漏电流双悬臂梁开关HEMT以半绝缘的GaAs为衬底(1),在衬底(1)上设有本征GaAs层(2),本征GaAs层(2)上设有本征AlGaAs层(3)、源区(13)和漏区(14),本征AlGaAs层(3)上设有N+AlGaAs层(4),N+AlGaAs层(4)上设有栅极金属层(5),栅极金属层(5)上设有两个悬臂梁(12);悬臂梁(12)材料为Au,横跨在锚区(8)上,锚区(8)和输入引线(9)相连,作为HEMT微波信号和直流偏置信号的输入端;其中,微波信号由微波信号输入端口输入,通过隔直电容后分为两路,分别经λ/100延迟线和λ/4延迟线输入到两个悬臂梁(12)上,直流偏置信号由第一偏置端口(17)和第二偏置端口(18)输入,通过高频扼流线圈分别输入到两个悬臂梁(12)上,在悬臂梁(12)的下方各有一个下拉电极(6),下拉电极(6)接地,下拉电极(6)的上面覆盖一层绝缘的氮化硅介质层(7),悬臂梁(12)的下拉电压设置为HEMT的阈值电压;本征GaAs层(2)和本征AlGaAs层(3)间的异质结形成的二维电子气通道,在非工作状态时被肖特基接触的耗尽区阻断,在施加偏置电压使悬臂梁(12)下拉时,肖特基接触的耗尽区变窄,二维电子气通道处于导通状态。

2.根据权利要求1所述的基于GaAs基低漏电流双悬臂梁开关频率检测器,其特征是该频率检测器电路通过施加直流偏置电压和控制λ/4延迟线是否接地实现频率检测和信号放大两种功能;频率检测时施加直流偏置电压使两个悬臂梁(12)都处于下拉状态,待测微波信号经过λ/4延迟线和λ/100延迟线后产生两路频率相等和存在一定相位差的信号,输入到HEMT的栅极金属层(5)上,经HEMT实现信号混频,输出的源漏极饱和电流包含了相位信息的电流分量,通过低通滤波器滤去源漏极饱和电流中的高频分量,由相位检测输出端口(19)输出,从而得到两路信号的相位差,最后通过相位差反推出待测微波信号的频率;电路处于信号放大状态时,施加直流偏置电压使λ/100延迟线连接的悬臂梁(12)处于下拉状态,λ/4延迟线的末端接地,λ/4延迟线始端相当于开路,信号完全经过λ/100延迟线输入到对应的悬臂梁(12)上,源漏极输出放大后的电流信号,最后由信号放大输出端口(20)输出,由于存在一个悬浮的悬臂梁(12),下面对应的区域为高阻区,有利于增大反向击穿电压。

3.根据权利要求1或2所述的基于GaAs基低漏电流双悬臂梁开关频率检测器,其特征是该频率检测器非工作状态时,两个悬臂梁(12)都处于悬浮态,与栅极金属层(5)没有接触,减小了栅极漏电流,功耗被有效地降低。

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