[发明专利]一种半导体封装打线工艺中焊锡防腐蚀的处理方法

权利要求书

1.一种半导体封装打线工艺中焊锡防腐蚀的处理方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

1)提供一完成焊接的半导体封装件；

2)对所述半导体封装件的焊锡涂覆保护层，将焊锡裸露面覆盖起来，所述保护层为油墨、薄膜、蜡膜中的一种，所述薄膜为有机硅胶，所述保护层的厚度为15-120μm；

3)对所述半导体封装件进行清洗，除去多余的助焊剂；所述清洗方法为等离子体清洗或紫外-臭氧清洗，所述等离子体清洗使用的等离子气体为85％的氩气和15％的氧气；

4)填充塑封材料。

2.根据权利要求1所述的一种半导体封装打线工艺中焊锡防腐蚀的处理方法，其特征在于：所述对半导体封装件的焊锡涂覆保护层包括：

利用喷枪对所述焊锡进行涂覆以形成所述保护层，所述喷枪的喷嘴口径为0.5mm-1.0mm。

3.根据权利要求1所述的一种半导体封装打线工艺中焊锡防腐蚀的处理方法，其特征在于：所述对半导体封装件的焊锡涂覆保护层包括：

利用毛刷对所述焊锡进行涂覆以形成所述保护层，所述毛刷的直径为0.5mm-2mm，所述毛刷的刷毛直径为0.01mm-0.05mm。

4.根据权利要求1所述的一种半导体封装打线工艺中焊锡防腐蚀的处理方法，其特征在于：所述油墨为UV油墨；所述对半导体封装件的焊锡涂覆保护层还包括：

将所述UV油墨覆盖焊锡后，进行紫外灯光照射以形成所述保护层，照射时间为3-10分钟。

5.根据权利要求1所述的一种半导体封装打线工艺中焊锡防腐蚀的处理方法，其特征在于：所述薄膜为有机硅胶；所述对半导体封装件的焊锡涂覆保护层还包括：

将所述有机硅胶覆盖焊锡后，于空气中静置5-10分钟形成所述保护层。

6.根据权利要求1所述的一种半导体封装打线工艺中焊锡防腐蚀的处理方法，其特征在于：所述蜡膜由防护蜡形成，所述防护蜡的成分为：石蜡20-50％，硬脂酸5-10％，三乙醇胺15-20％，余量为乙醇；所述对半导体封装件的焊锡涂覆保护层还包括：

将所述防护蜡加热到40℃以进行涂覆，涂覆盖焊锡后，在常温下静置30分钟得到所述蜡膜。

7.根据权利要求1所述的一种半导体封装打线工艺中焊锡防腐蚀的处理方法，其特征在于：所述保护层为双丙酮丙烯酰胺和己二酸二酰肼的混合体，所述己二酸二酰肼的含量占混合物总重量的1.5％，所述对半导体封装件的焊锡涂覆保护层还包括：

将所述双丙酮丙烯酰胺和己二酸二酰肼的混合物涂覆盖焊锡后，于空气中静置10-20分钟形成所述保护层。