[发明专利]阵列基板和液晶显示面板有效
申请号: | 201510375154.3 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN104932162B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 吴昊;宋琼 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 361101 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 液晶显示 面板 | ||
本发明提供一种阵列基板,包括彼此交叉的数据线和扫描线,以及多个像素区域;每个所述像素区域包括第一透光区、第二透光区和位于所述第一透光区与所述第二透光区之间的遮光区,所述遮光区设置有薄膜晶体管,所述第一透光区设置有第一电极,所述第二透光区设置有第二电极,所述第一电极与所述第二电极分别电连接至所述薄膜晶体管的漏极;对应于每个像素区域的所述数据线包括分别向两个方向延伸的第一部分与第二部分,且所述第一部分与所述第二部分通过位于所述遮光区的第一连接部连接。上述技术方案能够解决按压不均影响显示效果的问题。
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板和液晶显示面板。
背景技术
在液晶显示技术领域,平面转换(In-Plane Switching IPS)技术和边缘场开关(Fringe Field Switching FFS)技术是两种常用的宽视角液晶显示技术,该两项技术的特点是正负电极设置于同一基板,使液晶分子在平行于基板的平面内旋转,从而提高液晶层的透光效率。
目前,在IPS技术和FFS技术中普遍采用双畴技术,图1为现有技术中应用双畴技术的像素电极结构示意图,如图1所示,在阵列基板上形成有数据线11和扫描线12,且由数据线11和扫描线12限定出多个像素区域13,并在每个像素区域13上设置有像素电极14和薄膜晶体管15,其中薄膜晶体管15的栅极与扫描线12连接,薄膜晶体管的源极和漏极分别与数据线11和像素电极14连接;另外,参见图1所示,现有技术中将各像素区域13的像素电极14分为上下两个部分,即A部分和B部分,且该上下两个部分的像素电极交界处形成有拐角,利用该双畴技术,能够提供比单畴技术更宽的视角,满足用户日益提高的显示品质要求。但是,该双畴技术也存在一定的缺陷,例如,对于位于上下两个部分像素电极交界处的液晶分子,其受到的上下两部分像素电极的作用会相互抵消,使存在于此处的液晶分子不能朝任何方向旋转,只能保持在原地不动,出现黑色畴线现象。当面板受到外力按压作用时,位于上下两个部分像素电极交界处的液晶分子出现紊乱排列,并带动周边的液晶分子,使之趋向于与位于上下两个部分像素电极交界处的液晶分子相同的排列,导致黑色畴线的区域增大,也即出现按压不均(trace mura)现象,进而影响液晶显示面板的显示效果。而且,在外力按压作用撤销时,由于位于上下两个部分像素电极交界处的液晶分子的排列不一致,导致此处液晶分子的恢复方向出现冲突,恢复的速度变慢,甚至部分液晶分子不能恢复到原来的状态,出现按压不均现象不消失的问题。另外,现有技术中由于与上下两部分像素电极拐角处对应的数据线11上也存在一个拐角,并且由于数据线11为不透光的金属,因此会出现拐角漏光现象。
发明内容
本发明提供一种阵列基板和液晶显面板,以解决按压不均与拐角漏光影响显示效果的问题。
第一方面,本发明提供一种阵列基板,所述阵列基板包括彼此交叉的数据线和扫描线,以及多个像素区域;
每个所述像素区域包括第一透光区、第二透光区和位于所述第一透光区与所述第二透光区之间的遮光区,所述遮光区设置有薄膜晶体管,所述第一透光区设置有第一电极,所述第二透光区设置有第二电极,所述第一电极与所述第二电极分别电连接至所述薄膜晶体管的漏极;
对应于每个像素区域的所述数据线包括分别向两个方向延伸的第一部分与第二部分,且所述第一部分与所述第二部分通过位于所述遮光区的第一连接部连接,以及对应于每个像素区域的扫描线设置于所述遮光区。
第二方面,本发明提供的一种液晶显示面板阵列基板,包括对应设置的彩膜基板和阵列基板,所述阵列基板采用上述的阵列基板。
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