[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和位于所述显示区外围的布线区，其特征在于，所述制备方法包括制备位于所述布线区中的线路的步骤，该步骤包括：

形成金属层；

对所述金属层进行第一次构图工艺，形成中间图形，所述中间图形包括形成的部分线路图形；

对所述中间图形进行第二次构图工艺，形成位于所述布线区中的线路。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述金属层进行第一次构图工艺，形成中间图形的步骤包括：

在所述金属层上形成第一光刻胶层；

采用第一掩膜板对所述第一光刻胶层进行曝光；

对曝光后的第一光刻胶层进行显影；

对所述金属层进行第一次刻蚀；

剥离残留的光刻胶，得到所述中间图形。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，对所述中间图形进行第二次构图工艺，形成位于所述布线区中的线路的步骤包括：

在所述中间图形上形成第二光刻胶层；

采用第二掩膜板对所述第二光刻胶层进行曝光；

对曝光后的第二光刻胶层进行显影；

对所述中间图形进行第二次刻蚀；

剥离残留的光刻胶，得到位于所述布线区中的线路。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述阵列基板还包括源漏极层，位于所述布线区中的线路与所述源漏极层中的源极和漏极同层形成。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的制备方法，其特征在于，所述阵列基板还包括栅极层，位于所述布线区中的线路与所述栅极层中的栅极同层形成。

6.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为正性光刻胶层，所述第一掩膜板上对应于所述金属层上将形成所述中间图形的区域为遮光区，所述第一掩膜板上对应于所述金属层上将被去除部位的区域为透光区；

或者，所述第一光刻胶层为负性光刻胶层，所述第一掩膜板上对应于所述金属层上将形成所述中间图形的区域为透光区，所述第一掩膜板上对应于所述金属层上将被去除部位的区域为遮光区。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第二光刻胶层为正性光刻胶层，所述第二掩膜板上对应于所述中间图形上将形成所述线路的区域为遮光区，所述第二掩膜板上对应于所述中间图形上将被去除部位的区域为透光区；

或者，所述第二光刻胶层为负性光刻胶层，所述第二掩膜板上对应于所述中间图形上将形成所述线路的区域为透光区，所述第二掩膜板上对应于所述中间图形上将被去除部位的区域为遮光区。

8.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，对所述金属层进行第一次刻蚀的步骤中，刻蚀方法包括干刻或者湿刻。

9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，对所述中间图形进行第二次刻蚀的步骤中，刻蚀方法包括干刻或者湿刻。

10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板采用权利要求1至9中任意一项所述的制备方法制备形成。