[发明专利]一种机械式硬盘用高纯铝镁合金基板的压延加工方法有效
申请号: | 201510374319.5 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN104941999B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 李英虹;郭菁;滕莹雪;彭兴东;王洪斌;刘雄伟 | 申请(专利权)人: | 辽宁科技大学 |
主分类号: | B21B1/24 | 分类号: | B21B1/24;B21B1/26;B21B1/28 |
代理公司: | 鞍山嘉讯科技专利事务所21224 | 代理人: | 张群 |
地址: | 114044 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 机械式 硬盘 高纯 镁合金 压延 加工 方法 | ||
技术领域
本发明属于材料加工与控制技术领域,具体涉及一种机械式硬盘用高纯铝镁合金基板的压延加工方法。
背景技术
磁电子材料与器件是国际新材料开发及应用的热门方向,将磁存储技术及铝基材料相结合,开发磁存储用铝基电子材料,是当前乃至今后用于计算机存储的基础及相关材料发展的前提。硬盘用铝基片是铝基磁存储材料的重要发展方向,硬盘中的存储功能主要由其中的盘片实现,而盘片的性能取决于基片和磁涂层这两大主要制备技术的发展水平,两者相辅相成又相互影响,制约着硬盘的发展。
基片是数据存储的载体,大约共计80nm厚的涂层材料附着于基片上,如此薄的涂层会把基片表面原始状态原封不动的显现出来,这就要求基片的表面不能出现大于100nm的缺陷。同时,基片材料的抗拉强度要介于205-275N/mm2之间,屈服强度>80Mpa,伸长率>18%,晶粒尺寸<50μm,平面度<7μm,整个表面厚差要同时满足的以上的技术指标,要求在基片生产的所有环节(包括铸造、轧制、冲压、热处理、切削和研磨)都处于行业领先水平,其中的压延工序是决定此产品能否符合产品要求的重要工序。
在铝镁合金锭板材技术上,采用先进铝热连轧机组生产线,通过控制参数,获得产品厚度均匀及平面精确度高的板材产品。因铝镁合金属于中强度热处理不可强化的合金,通常采用预热处理、热轧、冷轧等步骤完成,其技术工艺较为成熟,铝加工企业都能够实现中低端板材产品的生产。目前,为冷轧机供坯主要有两种方法,一种是热轧法,一种是铸轧法。热轧法提供的坯料成分均匀、组织均匀致密、平整度高。作为铝板带生产大国的美国和日本采用的都是热轧供坯,其中热连轧供坯是制备制罐用铝板带、高精度PS版等的关键技术。
在压延工艺中能够代表技术水平的板材中,厚度为1.50mm的CTP板材,偏差控制在5%以下,要求最终产品的表面无缺陷、板材平整度<0.6nm;厚度为0.24mm的罐板,偏差在4.1%左右。但对于对精整度要求更高的铝合金板材,全球能够生产的企业具有代表性的是日本神户制钢及日本古河,日本株式会社神户制钢所公布的专利包括:特开昭61-91352号公报、特开昭64-37-5725号公报、特开6002-241513号公报、特开平4-99143号公报、特开平2-205651号公报及神户制钢所在中国公开的专利(公开号:102465222A)、(公开号:103173666A)等均报道了硬盘用铝镁合金基片的制造方法及技术,他们通过控制工艺及参数,能够得到产品厚度为1.775mm,偏差在1.7%以下的高端铝镁合金板材产品,并实现稳定生产,属于高端铝镁合金工艺的全球领先水平,但未具体详尽说明或公开压延工序的相关技术。
其他各国及铝加工企业投入了大量的研发,但因其技术含量高、需要具备相关及配套设施、调整工艺等而增加了研发的难度。
发明内容
本发明提供了一种机械式硬盘用高纯铝镁合金基板的压延加工方法,将机械式硬盘用铝镁合金板锭进行压延后,能够得到符合加工要求的高纯铝镁合金板材。
一种机械式硬盘用高纯铝镁合金基板的压延加工方法,该方法包括以下步骤:
a.板锭铣面及预处理
采用常规的设备及工艺对板锭进行铣面,去除量15-25mm厚度,将铣面后的板锭放入立推式高温均热炉进行退火及保温处理,立推式高温均热炉上下左右及中间所配的热电偶为8-12个,以10-20℃/min的升温速率升温至520-580℃,板锭上下左右的表面温度在5℃以下的偏差范围内,保温5-10小时;
b.板锭热压延
开启轧机的乳液系统,保持轧辊及乳液温度不低于80℃,采用自动出料手臂将均热的板锭移至热压延传送带上,立即进行热压延工序,以防温度散失过快而影响热压延工序,
热轧温度520℃-580℃,终轧厚度14-20mm;终轧温度320℃-360℃,压延道次8-12次,下压量25-35mm,下压率在5%-30%,热压延整个工序操作时间10-15分钟,压延完成后放入均热炉中进行退火;热压延后的板带材晶粒尺寸100-120μm,厚差4-5%;
c.板锭温压延
开启轧机的乳液系统,同时保持轧辊、乳液、热压延基板的温度在70℃-90℃之间,开始温压延工序,下压率保持在10%-15%,压延速度3-6m/s,终轧厚度8-11mm;压延道次3-6次,压延完成后放入均热炉中进行退火;温压延后的板带材晶粒尺寸为60-90μm,厚差2-4%,平面度为150-200μm;
d.板锭冷压延
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