[发明专利]表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体及其加工方法

权利要求书

1.表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体，其特征在于：包括陶瓷基体（101）、覆盖陶瓷基体（101）外表面的纳米二氧化钛膜（103）和连接陶瓷基体（101）与纳米二氧化钛膜（103）的纳米钛预置层（102）；所述纳米二氧化钛膜（103）为金红石相晶格结构或锐钛矿相晶格结构或金红石相与锐钛矿相的混合晶格结构，其厚度为30-60nm。

2.表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S100：对陶瓷基体（101）进行表面处理；

步骤S200：将经过表面处理的陶瓷基体（101）稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将陶瓷基体（101）输送至真空室，真空室内腔的上方同时安装有金属钛靶和二氧化钛靶；

步骤S300：关闭真空室的出入口，抽真空至1x10^-3—3x10^-3Pa，通入氩气至0.8-1.2Pa；

步骤S400：打开金属钛靶，确保二氧化钛靶关闭，在功率为300-600W，偏压200-300V，靶距30-40mm，陶瓷基体（101）温度100-300℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为100-200min；

步骤S500：关闭金属钛靶，打开二氧化钛靶，补充氩气至1.2-1.4Pa；

步骤S600：在功率为150-250W，偏压200-300V，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为50-200min；

步骤S700：关闭二氧化钛靶并静置10min，打开真空室，取出完成件。

3.根据权利要求2所述的表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S100具体是指以下流程：

步骤S110：将陶瓷基体（101）放入水温60-80℃的水域中静置1-2h；

步骤S120：将陶瓷基体（101）放入配置20-50%丙酮溶液的清洗槽中，采用超声波清洗10-20min；

步骤S130：用流动的去离子水冲洗陶瓷基体（101），去除丙酮溶液；

步骤S140：取出陶瓷基体（101）并用冷风将其表面吹干，待用。

4.根据权利要求2所述的表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S200具体是指操作人员佩戴无尘手套或使用洁净取件器将经过表面处理的陶瓷基体（101）摆放在托盘中，由磁控溅射机配置的传输装置将其运输至指定位置。

5.根据权利要求2所述的表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S300具体是指先用机械泵抽真空至1-2Pa，然后用分子泵抽真空至1x10^-3—3x10^-3Pa。

6.根据权利要求5所述的表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S400具体是指在功率450W，偏压250V，靶距35mm，陶瓷基体（101）温度250℃的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间120min。

7.根据权利要求2所述的表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S500具体是指以流速30-32ml/min补充氩气至工作压强为1.2Pa。

8.根据权利要求7所述的表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述步骤S600具体是指在功率180W，偏压250V，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间120min。

9.根据权利要求2所述的表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述氩气作为溅射气体，其纯度大于99.999%。

10.根据权利要求2-9任意一项所述的表面覆盖纳米二氧化钛膜的电子装置壳体的加工方法，其特征在于：所述金属钛靶的纯度大于99.96%；所述二氧化钛靶的纯度大于99.9%。