[发明专利]一种透光型铜铟镓硒电池组件制备工艺

说明书

技术领域

一种透光型铜铟镓硒电池组件制备工艺，属于太阳能电池加工技术领域。

背景技术

随着环境污染问题的日益加剧，清洁能源的发展得到了人们越来越多的关注。光伏与建筑的结合是太阳能发展的一个新方向，光伏建筑一体化组件的制备是目前光伏制造领域新的竞争点。从长远来看，光伏建筑一体化具有非常广阔的市场前景，但是透光组件透光线槽的结构设计是目前制约其工艺成本降低的一个重要因素。目前透光组件的是在常规不透光组件的基础上进行进一步的加工，将电池层完全刻蚀掉形成的透光带。具体参照附图1，现有的透光组件的加工工艺是首先在基板1上加工多列电池薄膜2，相邻的电池薄膜2通过连接部件导通，相邻的电池薄膜2间隔非常小，无法透光，为了实现透光，利用激光刻蚀的方法在电池薄膜2中部刻蚀出多个透光区域3，这样一来就将原来整列的电池薄膜2分为了一个一个的电池格子，基板1两侧加工汇流条4，利用汇流条4将每行的电池薄膜2再连接起来，这不仅增加了生产的难度，并且刻划掉更多的电池面积降低了电池的输出功率，增加了电池的成本，而且相邻的电池薄膜2一旦出现连接断开或短路，整行的电池薄膜2都会报废了，可靠性非常低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种加工工艺简单、成本低的透光型铜铟镓硒电池组件制备工艺，在电池薄膜上形成透光区域的同时，电池薄膜依次串联连接，对电池的损坏小，连接方便。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：该透光型铜铟镓硒电池组件制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1）、铺设基板；

2）、在基板上镀电池薄膜；

3）、封装；

其中步骤2）具体包括以下步骤：

201）、在基板上镀底电极，在底电极上刻划透光沟槽，透光沟槽两侧的底电极为第一底电极和第二底电极；

202）、在底电极上镀吸光层；

203）、在吸光层上刻划串联沟槽；

204）、在吸光层上镀上电极，透光沟槽和串联沟槽使上电极与第一底电极连通，同时使上电极与第二底电极断开；

205）、在第一底电极上侧的上电极上刻划绝缘沟槽。

优选的，所述步骤203）具体方法为：在吸光层上镀缓冲层，在第一底电极靠近透光沟槽一侧的吸光层和缓冲层上、透光沟槽靠近第一底电极一侧的吸光层和缓冲层上刻划串联沟槽，串联沟槽与第二底电极之间的透光沟槽内具有吸光层。

优选的，在刻划串联沟槽时，刻划靠近透光沟槽的部分第一底电极，调整第一底电极与第二底电极之间的宽度。

优选的，所述绝缘沟槽贯穿吸光层。

优选的，所述吸光层材质为CIGS。

优选的，所述缓冲层的厚度为30~100nm。

优选的，所述缓冲层的材质为CdS 或ZnS。

优选的，所述吸光层厚度为1~3μm；所述上电极的厚度为50~1500nm。

优选的，所述步骤1）中要对基板进行清洗，具体包括以下步骤：

101）、去离子水冲洗；

102）、清洗剂毛刷清洗；

103）、去离子水冲洗；

104）、风干。

优选的，所述步骤3）具体包括以下步骤：

301）、在前板和/或基板的四周铺设密封材料；

302）、引电极、焊接铝带；

303）、在柔性电池薄膜上侧铺设密封胶膜；

304）、铺设前板；

305）、层压，利用层压机将前板、电池薄膜和基板层压为一体；

306）、冷却；

307）、连接接线盒。

与现有技术相比，本发明所具有的有益效果是：绝缘沟槽使第一底电极上的上电极形成断路，使第二底电极上的上电极与第一底电极形成串联，依次设置后将整个电池薄膜串联起来，形成一个发电整体，不需要汇流条连接，而且连接可靠。在电池薄膜的中部形成透光区域，而且透光区域内的上电极串联底电极，在透光的同时还能将电池薄膜连接成一个整体。

附图说明

图1为现有透光组件的主视图。

图2为该透光型铜铟镓硒光伏电池组件的主视图。

图3～图9为步骤2）一个实施例的示意图。

图10为步骤3）的示意图。

图11～图16为步骤2）的又一实施例的示意图。