[发明专利]溅射靶材及用该溅射靶材制作的CIGS基薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201510370003.9 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN105047738B | 公开(公告)日: | 2018-02-09 |
发明(设计)人: | 李艺明;邓国云 | 申请(专利权)人: | 厦门神科太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0336 | 分类号: | H01L31/0336;H01L31/04 |
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地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅射 制作 cigs 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种CIGS基薄膜太阳能电池,其特征在于,包括,提供一衬底,覆盖衬底表面的背电极层,覆盖背电极层的p型光吸收层,覆盖p型光吸收层的n型半导体层,覆盖n型半导体层的掺杂硫化锌膜层,覆盖掺杂硫化锌膜层的透明导电层;所述掺杂硫化锌膜层是使用具有导电性的硫化锌靶材通过DC或AC溅射沉积的,所述掺杂硫化锌膜层的掺杂剂选自B、Al、Ga或In元素中的至少一种,所述掺杂剂的含量为100ppm至4000ppm。
2.根据权利要求1所述的CIGS基薄膜太阳能电池,其特征在于,所述溅射靶材中掺杂剂材料的含量为500ppm至2500ppm。
3.根据权利要求1或2所述的CIGS基薄膜太阳能电池,其特征在于,所述p型光吸收层具有黄铜矿结构,为p型铜铟镓硒膜层、p型铜铟镓硫膜层、p型铜铟镓硒硫膜层、p型铜铟硒膜层、p型铜铟硫膜层或p型铜铟硒硫膜层。
4.根据权利要求1或2所述的CIGS基薄膜太阳能电池,其特征在于,所述n型半导体层具有黄铜矿结构,为n型铜铟镓硒膜层、n型铜铟镓硫膜层、n型铜铟镓硒硫膜层、n型铜铟镓铝硒膜层、n型铜铟镓铝硫膜层、n型铜铟镓铝硒硫膜层、n型铜铟硒膜层、n型铜铟硫膜层或n型铜铟硒硫膜层。
5.根据权利要求1或2所述的CIGS基薄膜太阳能电池,其特征在于,所述透明导电层选用银基透明导电膜、氧化铟掺杂锡、氧化锌掺杂铝、氧化锌掺杂硼、氧化锌掺杂镓、氧化锌掺杂铟、氧化锡掺杂氟、氧化锡掺杂碘或氧化锡掺杂锑中的至少一种透明导电膜。
6.根据权利要求1或2所述的CIGS基薄膜太阳能电池,其特征在于,所述掺杂硫化锌膜层与透明导电层之间还插入有一层本征氧化锌膜层或者一层掺杂氧化锌膜层,或者同时插入一层本征氧化锌膜层和一层掺杂氧化锌膜层;所述掺杂氧化锌膜层电阻率为0.08Ω·cm至95Ω·cm。
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