[发明专利]刷新电路

权利要求书

1.一种刷新电路，被配置用以在第一时段之内对多个存储体的正常区域执行第一刷新操作，且被配置用以对所述多个存储体之中的部分数目的存储体的冗余区域执行第二刷新操作，

其中，所述第一时段是根据第一参数确定的，

其中，所述第二刷新操作是对已经完成所述第一刷新操作的所述部分数目的存储体执行的，以及

其中，所述第二刷新操作在所述第一时段之内被执行。

2.根据权利要求1所述的刷新电路，其中，所述第一刷新操作包括堆刷新操作。

3.根据权利要求1所述的刷新电路，其中，所述第二刷新操作包括堆刷新操作。

4.根据权利要求1所述的刷新电路，其中，所述第二刷新操作是对与所述第一时段相比较时所述第一刷新操作已经完成之后的边际时段等于或者长于第二参数的存储体执行的。

5.一种刷新电路，所述刷新电路被配置用以：当响应于初始刷新命令而在根据第一参数确定的第一时段之内对多个存储体的正常区域执行正常刷新操作时，在所述第一时段之内对所述正常刷新操作已经完成的第一存储体组的冗余区域执行冗余刷新操作；以及当响应于所述初始刷新命令之后的刷新命令而在所述第一时段之内对从接着所述第一存储体组排序的存储体开始的多个存储体执行另一个正常刷新操作时，在所述第一时段之内对所述正常刷新操作已经完成的第二存储体组执行另一个冗余刷新操作。

6.根据权利要求5所述的刷新电路，其中，所述正常刷新操作包括堆刷新操作。

7.根据权利要求5所述的刷新电路，其中，所述冗余刷新操作包括堆刷新操作。

8.根据权利要求5所述的刷新电路，其中，所述冗余刷新操作是对与所述第一时段相比较时所述正常刷新操作已完成之后的边际时段等于或者长于第二参数的存储体执行的。

9.根据权利要求5所述的刷新电路，其中，所述正常刷新操作是响应于刷新命令而被执行的。

10.一种刷新电路，包括：

存储区域，被配置用以响应于行激活信号和附加刷新标志以对多个存储体执行第一刷新操作以及对所述多个存储体之中的部分数目的存储体执行第二刷新操作；

控制块，被配置用以响应于刷新命令以生成用于控制所述第一刷新操作和所述第二刷新操作的预控制信号和所述附加刷新标志；

计数块，被配置用以响应于所述刷新命令以生成存储体计数信号；

转换块，被配置用以响应于所述存储体计数信号以生成用于改变所述多个存储体之中的由所述预控制信号指定的存储体的次序的控制信号；以及

激活信号生成块，被配置用以生成所述行激活信号，

其中，所述行激活信号定义所述多个存储体之中的对应于所述控制信号的存储体的激活周期。

11.根据权利要求10所述的刷新电路，其中，所述第一刷新操作和所述第二刷新操作分别是对所述多个存储体之中的被选择的存储体的正常区域和冗余区域的刷新操作。

12.根据权利要求10所述的刷新电路，其中，所述附加刷新标志被配置用以为相应的存储体组指定所述第二刷新操作，

其中，所述相应的存储体组是通过划分所述多个存储体而预定义的。

13.根据权利要求10所述的刷新电路，其中，所述控制块包括：

第一控制器，被配置用以响应于所述刷新命令而生成所述预控制信号；

延时器，被配置用以延迟所述刷新命令，并输出被延迟的刷新命令；

第二控制器，被配置用以响应于所述被延迟的刷新命令而生成附加预控制信号；以及

附加刷新标志生成器，被配置用以响应于所述存储体计数信号和一部分所述附加预控制信号而生成所述附加刷新标志。