[发明专利]一种基于国产FT1500A芯片的DDR3接口板级电源供电设计方法

说明书

技术领域

本发明涉及主板电源供电设计技术领域，特别涉及一种基于国产FT1500A芯片的DDR3接口板级电源供电设计方法。

背景技术

随着国内IC设计水平的提高，已经涌现出如龙芯、飞腾和申威等一批优质国产芯片。国产FT-1500A芯片系列处理器是64位通用CPU，兼容ARM V8指令集，采用国际先进的28nm工艺流片，具有高性能、低功耗等特点。经测试，国产FT-1500A芯片系列处理器与Intel 2010年的处理器性能相当，部分性能略有优势，可实现对Intel中高端“至强”服务器芯片的替代，并广泛应用于政府办公和金融、税务等各行业信息化系统之中。

目前，国产FT-1500A芯片系列包括4核和16核两款产品。其中4核处理器芯片主要面向桌面终端和轻量级服务器应用领域，适用于构建台式终端、一体机、便携笔记本、微服务器等产品；16核处理器芯片面向服务器应用领域，支持虚拟化功能，适用于构建网络前端接入服务器、事务处理服务器、邮件服务器、数据库服务器、存储服务器等产品。该系列处理器对图像、视频的支撑超出预期，业内众多用户称它是一款“适用、可用、好用”的芯片。

处理器需要通过某个接口与主板连接的才能进行工作。处理器经过这么多年的发展，采用的接口方式有引脚式、卡式、触点式、针脚式等。而目前处理器的接口都是针脚式接口，对应到主板上就有相应的插槽类型。处理器接口类型不同，在插孔数、体积、形状都有变化，所以不能互相接插。

DDR3，即第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器（Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般称为DDR3 SDRAM），是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行性能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的存储器产品。

众所周知，DDR3接口的使用广泛于消费电子产品、服务器、安防设备等。现在主流DDR接口已经到了DDR3，速度更是可以达到1600Mbps，如何降低速率日益增高的信号风险，缩短设计周期，是硬件工程师不得不面临的问题。

在进行电源设计时，出于降低成本的考虑，一般情况下，会将数值相同的电压会进行合并处理。

而随着信号速率越来越快，从PMU芯片到IC的电源供电路径上的寄生电感值会导致初始电压跌落，接收端IC电压无法达到额定值，从而影响DDR3接口性能和工作状态。如何降低DDR3供电路径上的寄生电感值，是提高DDR3性能的重要措施之一。

传统的DDR3接口板级电源供电设计方法，如附图1所示。以PCIE接口和DDR接口供电为例，电源会从供电模块PMU直接供电给DDR3接口和PCIE接口，DDR3接口和PCIE接口供电电压数值相同，因而进行了合并处理。

附图3是传统DDR3接口板级电源供电设计方法板级路径上的寄生电感值。由图可知，一起供电给DDR3接口和PCIE接口，DDR3接口电源供电路径寄生电感值约为215pH。

为了解决传统DDR3接口板级电源供电设计方法，DDR3接口供电路径上的寄生电感值高的问题，本发明提出一种智能化程度高的基于国产FT1500A芯片的DDR3接口板级电源供电设计方法。通过对DDR3接口进行专电专供，减小供电路径上的寄生电感值，达到改善DDR3接口供电电压跌落的目的。

发明内容

本发明为了弥补现有技术的缺陷，提供了一种简单，有效实用的基于国产FT1500A芯片的DDR3接口板级电源供电设计方法。

本发明是通过如下技术方案实现的：

一种基于国产FT1500A芯片的DDR3接口板级电源供电设计方法，其特征在于：包括供电模块PMU，DDR3接口和国产FT-1500A芯片系列处理器其他接口，从所述供电模块PMU单独引出一路供电电路，单独供给所述DDR3接口，DDR3接口供电电路独立于所述国产FT-1500A芯片系列处理器其他接口的供电电路，避免从供电模块PMU到DDR3接口的电源供电路径上的寄生电感值导致的初始电压跌落，保证DDR3接口电压达到额定值。

所述国产FT-1500A芯片系列处理器其他接口是指供电电压数值与DDR3接口供电电压数值相同的接口，可以是PCIE接口或者AGP接口。

所述DDR3接口电压额定值为1.5V。