[发明专利]半导体器件在审

专利信息
申请号: 201510364702.2 申请日: 2015-06-26
公开(公告)号: CN105280602A 公开(公告)日: 2016-01-27
发明(设计)人: 小野善宏;木下顺弘;木田刚;绀野顺平;坂田贤治;森健太郎;马场伸治 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟;王娟娟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

(a)具有第一面和形成于所述第一面的接合指形部的布线衬底;

(b)半导体芯片,其具有:主表面、形成于所述主表面上的焊盘、形成于所述焊盘上的保护绝缘膜和形成于从所述保护绝缘膜露出的所述焊盘的开口区域上的柱状电极,所述半导体芯片以所述主表面与所述布线衬底的所述第一面相对的方式经由所述柱状电极与所述布线衬底的所述接合指形部电连接,

在由所述保护绝缘膜覆盖的所述焊盘的探针区域形成有探针痕迹,

所述柱状电极具有:

形成于所述开口区域上的第一部分;和

形成于覆盖所述探针区域的所述保护绝缘膜上的第二部分,

所述开口区域的中心位置从与所述接合指形部相对的所述柱状电极的中心位置偏移。

2.如权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述探针区域为所述开口区域以外的区域、且为在除去了所述保护绝缘膜的情况下露出的所述焊盘的表面区域。

3.如权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述柱状电极的所述第二部分朝向所述探针痕迹延伸。

4.如权利要求3所述的半导体器件,其中,

在俯视观看时,所述柱状电极的所述第二部分将所述探针痕迹包围在内。

5.如权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述焊盘为长方形形状,

所述开口区域和所述探针痕迹在所述焊盘的长边方向上排列。

6.如权利要求5所述的半导体器件,其中,

与所述接合指形部相对的所述柱状电极的中心位置与所述开口区域的中心位置之间的偏移在所述焊盘的长边方向上产生。

7.如权利要求1所述的半导体器件,其中,

在所述半导体芯片上形成有虚设焊盘,

所述虚设焊盘具有确定形成所述开口区域前的所述焊盘的表面区域内的所述探针区域的位置的功能。

8.如权利要求7所述的半导体器件,其中,

所述虚设焊盘在所述半导体芯片上沿多个所述焊盘的排列方向配置,

所述虚设焊盘配置成:在使所述虚设焊盘的表面区域沿所述排列方向平行移动时,与所述虚设焊盘的表面区域重合的所述焊盘的表面区域包含于所述焊盘的所述探针区域。

9.如权利要求1所述的半导体器件,其中,

具有以部分覆盖所述焊盘的方式形成于所述主表面上的表面保护膜,

从所述表面保护膜露出的所述焊盘的露出区域由所述开口区域和所述探针区域构成,

在所述表面保护膜上形成有凸部,该凸部具有在俯视观看时对所述开口区域和构成所述探针区域的一部分的部分区域进行区别的功能。

10.一种半导体器件,包括:

(a)具有第一面和形成于所述第一面的接合指形部的布线衬底;

(b)半导体芯片,其具有:主表面、形成于所述主表面上的焊盘、形成于所述焊盘上的保护绝缘膜和形成于从所述保护绝缘膜露出的所述焊盘的开口区域上的柱状电极,所述半导体芯片以所述主表面与所述布线衬底的所述第一面相对的方式经由所述柱状电极与所述布线衬底的所述接合指形部电连接,

在由所述保护绝缘膜覆盖的所述焊盘的探针区域形成有探针痕迹,

所述柱状电极具有:

形成于所述开口区域上的第一部分;和

形成于覆盖所述探针区域的所述保护绝缘膜上的第二部分,

在俯视观看时,所述柱状电极具有所述柱状电极的多个电极端部之中、距所述探针痕迹最近的第一电极端部和与所述第一电极端部相对的第二电极端部,

在俯视观看时,所述开口区域具有所述开口区域的多个开口端部之中、距所述探针痕迹最近的第一开口端部和与所述第一开口端部相对的第二开口端部,

在俯视观看时,从所述柱状电极的所述第一电极端部到所述开口区域的所述第一开口端部为止的间隔,大于从所述柱状电极的所述第二电极端部到所述开口区域的所述第二开口端部为止的间隔。

11.如权利要求10所述的半导体器件,其中,

所述探针区域为所述开口区域以外的区域、且为在除去了所述保护绝缘膜的情况下露出的所述焊盘的表面区域。

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