[发明专利]一种应用于测量VFTO的光电测量系统有效

专利信息
申请号: 201510362835.6 申请日: 2015-06-27
公开(公告)号: CN104977455B 公开(公告)日: 2017-10-24
发明(设计)人: 王岩;谭向宇;陈晶;郭小兵;吴彦霖;张轩 申请(专利权)人: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 昆明大百科专利事务所53106 代理人: 何健
地址: 650217 云南省昆*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 测量 vfto 光电 系统
【说明书】:

技术领域

发明属于电力用光电测量系统测量VFTO波形的技术领域。

背景技术

随着特高压技术的发展和应用,电压等级越来越高,电力设备的绝缘裕度降低,GIS中隔离开关操作所引起的快速暂态过电压简称VFTO会对超高压和特高压电力系统设备造成威胁,应该通过技术手段抑制其危害。VFTO主要有两种危害:其一是VFTO对电力系统绝缘的危害,主要体现在GIS的支撑绝缘子(盆式绝缘子)、变压器和架空线路的绝缘危害。其二是VFTO的第二个危害主要体现在对于二次设备的干扰,使其误动作,甚至损坏。途经一为VFTO耦合到架空线上,通过架空线损伤与GIS相连的电气设备,如:架空线路的绝缘、变压器。途径二为VFTO会引起GIS装置地电位的升高,即暂态地电位升高和壳体暂态电位升高,由于控制、保护、信号等众多二次设备都需要有一个地电位作为参考,地电位不稳会造成其误动作,甚至损坏。途径三为VFTO通过GIS的壳体和架空线向周围辐射电磁波,通过空间耦合的途径对二次设备造成干扰。综上所述,电力系统迫切研制一款测量频带宽,响应时间快,灵敏度高,抗干扰能力强的VFTO测量装置。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明提供能够测量GIS中特快速瞬态过电压波形和VFTO发生器与设备对接时的VFTO波形,且响应时间快,灵敏度高,抗干扰能力强的应用于测量VFTO的光电测量系统。

本发明的目的是通过下列技术方案来实现的。

一种应用于测量VFTO的光电测量系统,由光源li-fi、光学电压传感头、光电探测器PIN、光学信号处理电路以及示波器5部分依序连接组成;其中,光学电压传感头连接有VFTO高压发生器,光电探测器PIN采用两个进行并联;连接方式采取光源li-fi通过无线传输通道传给光学电压传感头,光学电压传感头通过多模光纤传输到光电探测器PIN上,光学信号处理电路分别与光电探测器PIN、示波器电连接。

本发明的有益效果是:

a.能够测量GIS中特快速瞬态过电压波形和VFTO发生器与设备对接时的VFTO波形。传输的信号不易受到周围复杂电磁环境的干扰,测量精确;

b.解决了减小示波器的测量噪声,需要对示波器进行接地处理,而GIS的外壳电位会伴随VFTO过程瞬间升高,可达到十几到一百千伏,造成示波器所接大地的电位不是零,测量不够准确的问题;

c.测量频带宽,响应时间快,灵敏度高,抗干扰能力强。

下面结合附图及实例进一步阐述本发明内容。

附图说明

图1为双晶体传感头的结构示意图;

图2为反射式横向调制光学电压传感器结构图;

图3反射式横向调制光学电压传感器原理图;

图4为双光路信号处理电路流程图;

图5为本发明系统结构示意图。

见图5,一种应用于测量VFTO的光电测量系统,由光源li-fi(即利用普通的LED来实现无线数据传输)、光学电压传感头、光电探测器PIN、光学信号处理电路以及示波器5部分依序连接组成;其中,光学电压传感头连接有VFTO高压发生器,光电探测器PIN采用两个进行并联;连接方式采取光源li-fi通过无线传输通道传给光学电压传感头,光学电压传感头通过多模光纤传输到光电探测器PIN上,光学信号处理电路分别与光电探测器PIN、示波器电连接。

本发明低压侧光源li-fi发出直流光,通过无线传输通道传给光学电压传感头BGO电光晶体1,高压侧的高电压信号对直流光进行调制,采用如图2所示的反射式横向调制光学电压传感器进行调制,这时候这束光不再是直流光了,而是直流光叠加上可以反映高压信号的交流光。携带所测高电压信号信息的光再通过多模光纤传输到光电探测器PIN上,通过如图3所示的双光路信号处理电路,把光信号转换成电信号并进行预处理,最后由示波器将所测的信号显示出来。该VFTO光电测量系统整体实行的流程图如图4所示。本发明是一种应用于测量VFTO的光电测量系统,具有传输的信号不易受到周围复杂电磁环境的干扰,造成测量有误,同时解决了为了减小示波器的测量噪声,需要对示波器进行接地处理,而GIS的外壳电位会伴随VFTO过程瞬间升高,可达到十几到一百千伏,造成示波器所接大地的电位不是零,测量不够准确的问题。

见图1,该图示出了光电测量系统的光学电压传感头的BGO电光晶体结构示意图,试验时将待测电压加于BGO晶体<001>方向,且使光沿晶体<110>方向通过时,光学电压传感器具有较好的双光路温度互补特性,传感器具有最优性能。

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